【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度，具体为一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的方法及装置。
技术介绍
1、大尺寸单晶是半导体、激光、高能物理、辐射探测等领域的关键基础材料。晶体质量会直接影响器件性能，而晶体生长过程中固液界面的形态对晶体质量有着关键影响。固液界面的凹凸度不仅影响晶体的纯度和结构完整性，还会导致晶体内部缺陷的产生。因此，如何在晶体生长过程中实时监测和控制固液界面的形态，已成为提高晶体质量的关键技术问题。
2、现有的方法(cn110685008a)实时测量晶体生长的重量，将测量到的晶体重量与其理论重量作差；根据两者的差值采用pid控制算法来控制晶体生长所需要的加热功率。采用ccd旋转装置对ccd光学放大装置进行旋转，ccd光学放大装置实时测量晶体基准线灰度值对应的位置与测量基准线中线的距离，根据该距离与其初始距离的差值，采用pid控制算法控制晶体的旋转速度。通过晶体旋转控制系统控制晶体的旋转速度来调节生长界面的角度，使生长界面角度始终维持在一个很小的区间波动。
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【技术保护点】
1.一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的装置，其特征在于：包括称重系统、提拉炉和高温热成像系统，所述称重系统设置在提拉炉内部，用于实时记录晶体的重量，所述高温热成像系统设置在提拉炉一侧，用于实时观测晶体的直径。
2.一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的方法，其特征在于：所述步骤三中对比γ平与γ的大小，如果γ≈γ平，则为平固液界面；如果γ>γ平，则为凹界面或凸界面。
4.根据权利要求1所述的一种在晶体生长过程中实...
【技术特征摘要】
1.一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的装置，其特征在于：包括称重系统、提拉炉和高温热成像系统，所述称重系统设置在提拉炉内部，用于实时记录晶体的重量，所述高温热成像系统设置在提拉炉一侧，用于实时观测晶体的直径。
2.一种在晶体生长过程中实时计算固液界面凹凸度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利...
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