一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置及方法制造方法及图纸

技术编号:43696711 阅读:38 留言:0更新日期:2024-12-18 21:12
本发明专利技术公开了一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置及方法,涉及逻辑控制领域,其中,超温保护装置包括:系统控制模块、T/R阵列控制模块、T/R阵列;系统控制模块通过串口总线与PC端连接,T/R阵列控制模块通过CAN总线与系统控制模块连接;T/R阵列通过TTL总线与T/R阵列控制模块连接;并以此提出的一种超温保护方法。本发明专利技术通过设计精细化超温保护逻辑,采用相控阵系统性能阶梯降级的方式,在T/R组件温度变化过程中,智能切换系统工作状态,在超温保护的同时,可以发挥相控阵系统的最大效能;同时,还能够在T/R组件温度超过最大结温前及时断电,有效避免产品研发和使用过程中由于散热条件不佳造成的巨大损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及逻辑控制领域,具体涉及一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置及方法


技术介绍

1、本节中的陈述仅提供与本公开相关的背景信息,并且可能不构成现有技术。

2、鉴于国内外硬件和软件能力的提升,相控阵技术得到了迅猛发展,新型t/r组件应运而生。随着半导体工艺的快速发展,t/r组件内部的高电流密度和热效应的增加会带来显著的温升,这种温升不仅会造成射频电路的性能和稳定性下降,还会影响其可靠性和寿命。

3、一般来讲环境温度低散热就快,环境温度高散热就慢。根据阿列尼乌兹模型可知环境温度每升高10℃,电路的失效率就增加一个数量级,这就是著名的“10℃法则”。元器件或电路的温度每升高2℃,其可靠性下降约10%,温度升高50℃时的器件的寿命只有温升25℃时的1/6。以上这些规律同样适用于射频电路,也就是说温度是影响射频电路性能和可靠性的首要因素。

4、高温带来的具体影响如下:高温可使电路发生老化、氧化、化学变化、热扩散、em、熔化、气化变型等。芯片在长时高温工作条件下会出现欧姆接触的退化、金属离子在不同介质中迁移等现象,从本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,T/R阵列控制模块由MCU和FPGA组成,MCU通过CAN总线与系统控制模块连接,MCU通过SPI总线与FPGA连接,FPGA通过TTL总线传输加电控制信号S[1…m]控制m个T/R组件T通道开电、关电,FPGA也能够给整个系统开电、关电;T/R组件的发射通道关电时,接收通道和温度传感器能够正常工作。

3.根据权利要求2所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,系统控制模块为PowerPC,Powe...

【技术特征摘要】

1.一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,t/r阵列控制模块由mcu和fpga组成,mcu通过can总线与系统控制模块连接,mcu通过spi总线与fpga连接,fpga通过ttl总线传输加电控制信号s[1…m]控制m个t/r组件t通道开电、关电,fpga也能够给整个系统开电、关电;t/r组件的发射通道关电时,接收通道和温度传感器能够正常工作。

3.根据权利要求2所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,系统控制模块为powerpc,powerpc通过can总线每隔500ms实时刷新m个t/r组件的温度t[1…m],满足对温度采集的实时性需求,并综合判断t/r组件的温度,根据温度判决门限设置t/r组件不同的工作状态。

4.根据权利要求3所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,其特征在于,fpga通过t/r组件内部的温度传感器实时采集t/r组件工作温度,并判断温度状态。

5.一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护方法,其特征在于,基于权利要求1-4任一项所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护装置,包括:

6.根据权利要求5所述的一种应用于相控阵发射机的精细化超温保护方法,其特征在于,为降低温度异常虚警,fpga首先根据传感器特点对异常采集值进行过滤,如果温度持续采集到f...

【专利技术属性】
技术研发人员:周旭廖志高窦文新李良周云胜李连成彭祥飞吴萌罗春尹程张韦张岩张力马新武
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十九研究所
类型:发明
国别省市:

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