【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种保护环结构与组件结构，尤其涉及一种结构简易的保护环结构与组件结构。
技术介绍
1、在目前砷化镓铟生长于磷化铟(ingaas/inp)的制程中，若以平面型雪崩二极管为例，其在锌扩散边缘会有较高电场聚集效应而形成边缘崩溃，这样会造成暗计数(darkcounts rate，dcr)提高，其崩溃增益也会降低、时机误差也会变差。因此平面型雪崩二极管会利用保护环分散边缘电场，以避免边缘崩溃。不过保护环有多种形式，在制程上也各有难易、效果也各自不同。保护环又分为接触保护环(attached guard ring，agr)和漂浮保护环(floating guard ring，fgr)。若是单独使用接触保护环，则无法很好的分散电场。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种保护环结构，适用于一主动区，其特征在于，所述保护环结构包括：一第一接触保护环，设置在所述主动区的周围；以及一第二接触保护环，设置在所述第一接触保护环的周围；其中，所述第一接触保护环与...
【技术保护点】
1.一种保护环结构，适用于一主动区，其特征在于，所述保护环结构包括：
2.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，所述第一接触保护环与所述主动区之间的一高度差是一第一环状高度，所述第二接触保护环与所述第一接触保护环之间的一高度差是一第二环状高度，所述第一环状高度与所述第二环状高度是介于0.2um与0.4um之间。
3.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，所述第一接触保护环包括一第一环状宽度，所述第二接触保护环包括一第二环状宽度，所述第二环状宽度的一宽度值，与所述第一环状宽度的所述宽度值以及所述第二环状宽度的所述宽度值的数值和的一比值...
【技术特征摘要】
1.一种保护环结构，适用于一主动区，其特征在于，所述保护环结构包括：
2.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，所述第一接触保护环与所述主动区之间的一高度差是一第一环状高度，所述第二接触保护环与所述第一接触保护环之间的一高度差是一第二环状高度，所述第一环状高度与所述第二环状高度是介于0.2um与0.4um之间。
3.根据权利要求1所述的保护环结构，其特征在于，所述第一接触保护环包括一第一环状宽度，所述第二接触保护环包括一第二环状宽度，所述第二环状宽度的一宽度值，与所述第一环状宽度的所述宽度值以及所述第二环状宽度的所述宽度值的数值和的一比值大于等于0.25，且小于等于0.5。
4.根据权利要求3所述的保护环结构，其特征在于，还包括一第三接触保护环，所述第三接触保护环设置在所述第二接触保护环的周围。
5.根据权利要求4所述的保护环结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴肇欣，陈齐恩，张清松，
申请(专利权)人：徕晶光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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