【技术实现步骤摘要】
在此描述的本公开的示例实施例涉及半导体存储器装置，并且更具体地，涉及包括读取回收模块的存储装置及其回收操作方法。
技术介绍
1、半导体存储器可分为两种主要类型：易失性存储器和非易失性存储器。与非易失性存储器相比，易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(dram)或静态随机存取存储器(sram))通常提供更快的读取速度和写入速度。然而，一旦断电，易失性存储器中的数据就会丢失。相反，非易失性存储器即使在没有电力的情况下也保存数据。
2、闪存为可在单个存储器单元中存储多个数据位(通常两位或更多)的非易失性存储器的常见形式。闪存可具有由阈值电压分布确定的至少一个擦除状态和多个编程(例如，写入)状态。
3、闪存在它的编程状态中的每个状态之间包含读取裕度，以确保数据完整性。然而，闪存单元的阈值电压可能由于各种原因(诸如，耦合噪声、通过电压干扰、编程电压干扰或读取通过电压干扰)而偏移。这些变化可导致存储器单元的阈值电压增加，从而导致第一编程状态与第二编程状态之间的重叠。
4、在闪存中的读取操作期间，可将选择读取电压...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，
3.根据权利要求2所述的存储装置，
4.根据权利要求2所述的存储装置，
5.根据权利要求2所述的存储装置，
6.根据权利要求5所述的存储装置，
7.根据权利要求2所述的存储装置，
8.根据权利要求7所述的存储装置，
9.根据权利要求2所述的存储装置，
10.根据权利要求2所述的存储装置，
11.一种存储装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储装置，
13.根据...
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，
3.根据权利要求2所述的存储装置，
4.根据权利要求2所述的存储装置，
5.根据权利要求2所述的存储装置，
6.根据权利要求5所述的存储装置，
7.根据权利要求2所述的存储装置，
8.根据权利要求7所述的存储装置，
9.根据权利要求2所述的存储装置，
10.根据权利要求2所述的存储装置，
11.一种存储装置，包括：
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