一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件制造技术

本发明专利技术公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二势垒层、第二金属源电极、第二金属漏电极、第二金属栅电极构成的高测区，由绝缘介质层和导热介质层构成的沟槽区；本发明专利技术通过沟槽区将器件体内的热量导出，能够提高器件的散热性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件领域，具体涉及一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件。

技术介绍

1、氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有宽带隙、高临界击穿电场、高电子迁移率、高饱和电子速度等优势，这使得氮化镓晶体管具有导通电阻低，工作频率高，开关速度快等特点，在高温、高频和大功率领域具有广阔的发展前景，已经被广泛应用于功率器件领域。

2、目前，氮化镓器件主要以蓝宝石、硅和碳化硅作为生长外延层的衬底材料，其中蓝宝石衬底因为较高的结晶质量和较低的成本，适合大规模工业化生产，主要应用于led领域。但是蓝宝石的导热性较差，而对于大功率器件来说，器件的散热性能是影响设备性能和可靠性的关键因素。因此，提高散热能力是蓝宝石基氮化镓器件未来发展的重要方向。

技术实现思路

1、技术问题：针对传统蓝宝石基氮化镓器件的上述问题，本专利技术提供一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，能够有效提高蓝宝石基氮化镓半桥器件的散热性能。

2、技术方案：本专利技术的一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件采用的技术方法为：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其结构包括：衬底(1)，所述衬底(1)上表面设有的低测区(A)和高测区(B)，所述低测区(A)和高测区(B)之间设有的沟槽区(C)。

2.根据权利要求1所述的一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其特征在于：所述沟槽区(C)中的导热介质层(11)为高导热性质材料，可以为Cu、Ag、SiC或者金刚石。

3.根据权利要求1所述的一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其特征在于：所述沟槽区(C)中的导热介质层(11)，其结构可以为直条结构、边缘刻槽结构、S型结构。

4.根据权利要求1所述的一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件...

【技术特征摘要】

1.一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其结构包括：衬底(1)，所述衬底(1)上表面设有的低测区(a)和高测区(b)，所述低测区(a)和高测区(b)之间设有的沟槽区(c)。

2.根据权利要求1所述的一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其特征在于：所述沟槽区(c)中的导热介质层(11)为高导热性质材料，可以为cu、ag、sic或者金刚石。

3.根据权利要求1所述的一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其特征在于：所述沟槽区(c)中的导热介质层(11)，其结构可以为直条结构、边缘刻槽结构、s型结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李胜，杨皓翔，马岩锋，刘斯扬，孙伟锋，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：