一种图案化量子点薄膜、量子点多光谱探测器及其制备方法技术

技术编号:43687127 阅读:22 留言:0更新日期:2024-12-18 21:06
一种图案化量子点薄膜、量子点多光谱探测器及其制备方法,量子点薄膜中的硫化铅量子点表面的部分油酸被光致酸产生剂MBT的氯自由基替换,将某一尺寸的硫化铅量子点通过光学图案化工艺水平集成在同一衬底上,形成量子点薄膜,并通过重复水平集成工艺将多个不同尺寸的硫化铅量子点制备成多通道量子点薄膜,再对制作的量子点薄膜或多通道量子点薄膜进行配体替换和热退火处理并制备量子点多光谱探测器;本发明专利技术的图案化量子点薄膜轮廓清晰、分辨率高,光敏配体MBT可以通过商业途径低成本获得,配体替换和热退火处理增强了量子点之间的耦合性能和量子点薄膜载流子迁移率,制备的量子点多光谱探测器可保持较好的载流子传输特性和光电响应能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电探测器,特别涉及一种图案化量子点薄膜、量子点多光谱探测器及其制备方法


技术介绍

1、光电探测器作为一种重要的光电子器件,在现代科技领域中发挥着越来越重要的作用,量子点因其具有尺寸可调光学特性、可溶液加工以及与柔性衬底工艺兼容性等特点,已成为目前新型光电探测器的重要研究方向,由于在强量子限域效应条件下,量子点的带隙和光谱响应波长可以通过其尺寸的改变而受到控制,量子点多光谱探测器作为新型红外探测器件在成像、光学探测和分析等领域有着广泛的应用前景;随着量子点多光谱探测器近年来的发展,其性能逐渐可与传统器件相媲美,并且在制造成本和工艺灵活性等方面展现出巨大优势。

2、目前,在量子点多光谱探测器研究方面,量子点多色通道的实现思路主要有垂直集成和水平集成两种方式,垂直集成方式通过堆叠具有不同带隙的量子点制备叠层光电二极管结构,但器件结构的复杂性和工艺难度会随着堆叠通道数的增加而成倍增加,严重限制了其在多光谱探测中的应用,故一般仅限于双色探测;水平集成结构通过图案化工艺定义子像素划分各波段的探测区域,在器件结构上更加便于实现多色和多光谱探本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种图案化量子点薄膜,所述量子点薄膜中的量子点为硫化铅量子点,其特征在于,所述硫化铅量子点表面的部分油酸通过光学图案化过程被光致酸产生剂MBT的氯自由基替换。

2.一种图案化量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜制备方法,其特征在于,步骤S1所述的硫化铅量子点的甲苯溶液浓度为25-50mg/mL,步骤S1所述的光致酸产生剂MBT在量子点光敏油墨中的含量为4wt%-8wt%。

4.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜制备方法,其特征在于,步骤S3所述的局部曝光时长为3-5min,局部曝光波长为365-3...

【技术特征摘要】

1.一种图案化量子点薄膜,所述量子点薄膜中的量子点为硫化铅量子点,其特征在于,所述硫化铅量子点表面的部分油酸通过光学图案化过程被光致酸产生剂mbt的氯自由基替换。

2.一种图案化量子点薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜制备方法,其特征在于,步骤s1所述的硫化铅量子点的甲苯溶液浓度为25-50mg/ml,步骤s1所述的光致酸产生剂mbt在量子点光敏油墨中的含量为4wt%-8wt%。

4.如权利要求2所述的图案化量子点薄膜制备方法,其特征在于,步骤s3所述的局部曝光时长为3-5min,局部曝光波长为365-385nm。

5.一种多通道图案化量子点薄膜,其特征在于,基于权利要求2所述的图案化量子点薄膜制备方法,通过重复所述步骤s1至步骤s4,依次将不同尺寸量子点光敏油墨通过旋涂、不同水平位置曝光、显影,从而制得多通道图案化量子点薄膜。

【专利技术属性】
技术研发人员:王昱程董金沛徐艺卫临方
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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