一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路及监测方法技术

一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路及监测方法，在GaN器件开通时注入恒定的漏极电流，通过提取器件的漏源电压实现动态导通电阻的监测。该测量电路包含隔离电源单元、常规驱动单元、电流输出单元、触发单元、采样单元、调节单元、钳位电路单元共七个部分。当被测器件DUT处于高压阻断状态时，电流输出单元不输出电流，钳位电路单元输出为保护低压信号；当被测器件DUT导通时，电流输出单元将电流注入被测器件DUT，此时钳位电路单元反映被测器件DUT的导通电压，进而获得GaN器件的动态导通电阻。本发明专利技术具有结构简单、设计成本低、测量精度高等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子功率器件测试领域，具体涉及一种gan功率器件动态导通电阻的监测电路及监测方法。

技术介绍

1、随着科技的进步，对半导体器件的性能提出了更高的要求，于此，出现了以gan和sic为代表的第三代半导体器件。相较于传统的半导体功率器件，gan功率器件更加适用于高频、高电压领域，但其在应用中也存在着一些问题，其中电流崩塌效应最为严重，其具体表现在动态导通电阻的变化。

2、虽然gan功率器件具有极低的导通电阻，但是由于其独特的物理结构，其存在着动态电阻退化现象，也称作电流崩塌现象，此现象是指器件在承受高压偏置后切换到导通状态，实际的导通电压高于理想导通电压的现象。在电子电力应用中，开关器件需要在高频下工作，gan功率器件的动态电阻在导通时间内不足以恢复到理想值，这会增大器件的功率损耗，降低效率，制约gan功率器件的进一步应用及发展。在器件数据手册上的给出的往往是静态导通条件下的导通电阻，实际导通电阻要比此值高几倍甚至数十倍，因此准确测量gan功率器件的导通电阻可以为电力电子应用的设计提供准确数据，减小设计难度。p>

3、要计算本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于，该监测电路包括：

2.根据权利要求1所述一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于：所述微处理器分别连接常规驱动单元、触发单元，微处理器发出的输入控制信号包括SV1与SV2，分别输入给常规驱动单元与触发单元；

3.根据权利要求1所述一种GaN功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于：所述常规驱动单元包括，驱动器OP、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、二极管D4；驱动器OP的输入端通过电阻R8与触发信号连接，驱动器OP的两个电源端分别与所述隔离电源单元中能够输出-Vm和+Vs两个电压值的...

【技术特征摘要】

1.一种gan功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于，该监测电路包括：

2.根据权利要求1所述一种gan功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于：所述微处理器分别连接常规驱动单元、触发单元，微处理器发出的输入控制信号包括sv1与sv2，分别输入给常规驱动单元与触发单元；

3.根据权利要求1所述一种gan功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于：所述常规驱动单元包括，驱动器op、电阻r8、电阻r9、电阻r10、电阻r11、二极管d4；驱动器op的输入端通过电阻r8与触发信号连接，驱动器op的两个电源端分别与所述隔离电源单元中能够输出-vm和+vs两个电压值的输出接口连接，驱动器op的输出端分别与电阻r9的一端、电阻r10的一端连接；电阻r9的另一端连接二极管d4阴极，二极管d4阳极分别连接电阻r9的另一端、电阻r11的一端，电阻r11的另一端接地；电阻r11并联在被测器件dut的栅极g、源极s。

4.根据权利要求1所述一种gan功率器件动态导通电阻的监测电路，其特征在于：所述电流输出单元包括二极管d2、二极管d3、电容c1、p型mos管q2、电阻rg；电流输出单元的输入端与隔离电源单元的vcc输出口连接，vcc输出口连接二极管d2阳极，二极管d2阴极与电容c1的一端连接，电容c1的另一端接地；mos管q2的源极s与二极管d2阴极连接，mos管q2的栅极g与电阻rg的一端连接，mos管q2的漏极d与二极管d3的阳极相连。

5.根据权利要求1所述一种gan功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯宏，张龙生，周子牛，邾玢鑫，佘小莉，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：