【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置及方法。
技术介绍
1、低气压射频等离子体应用包含等离子体刻蚀、磁控溅射镀膜工艺等，其广泛采用容性耦合等离子体(capacitively coupledplasmas，ccp)源。在低气压、高频容性耦合等离子体放电工况下，驻波效应的存在会导致等离子体密度径向分布不均匀，其特征是反应器(等离子体放电腔室)中心存在显著密度峰值；而高气压放电工况下，由于边缘效应，ccp腔室(等离子体放电腔室)中的等离子体通常表现出中心密度较低、边缘密度较高的不均匀分布。近年来，半导体工艺技术在朝向小特征尺寸，大面积晶圆，以及更高的放电频率、功率的方向发展，对刻蚀深宽比和工艺均匀性要求不断提升，不均匀的等离子体密度分布会对制造过程的产品质量产生不利影响，给传统的基于ccp源的等离子体技术带来了严峻的挑战。
2、低温射频容性耦合等离子体处理晶圆的过程中，因等离子体密度集中在等离子体放电腔室的中心或晶圆边缘，因此，对应于不同工况，往往存在径向等离子体密度不均匀性的问题。而...
【技术保护点】
1.一种射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置，其特征在于，所述线圈设置于所述容性耦合放电装置外侧；所述线圈的直径小于或者等于所述等离子体放电腔室的直径。
3.根据权利要求1所述的射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置，其特征在于，所述一组直流线圈为相连接的多匝圆形导线；所述多组直流线圈至少包括所述一组直流线圈。
4.根据权利要求1所述的射频等离子体径向密度的调控方法，其特征在于，所述容性耦合射频放电装置还包括晶圆，所述晶圆位于所述等离子体放
【技术特征摘要】
1.一种射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置，其特征在于，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置，其特征在于，所述线圈设置于所述容性耦合放电装置外侧；所述线圈的直径小于或者等于所述等离子体放电腔室的直径。
3.根据权利要求1所述的射频容性耦合等离子体径向密度的调控装置，其特征在于，所述一组直流线圈为相连接的多匝圆形导线；所述多组直流线圈至少包括所述一组直流线圈。
4.根据权利要求1所述的射频等离子体径向密度的调控方法，其特征在于，所述容性耦合射频放电装置还包括晶圆，所述晶圆位于所述等离子体放电腔室正下方。
5.根据权利要求1所述的射频等离子体径向密度的调控方法，其特征在于，所述非高频容性耦合等离子体放电工况中高频容性耦合等离子体的频率小于60mhz；所述高频容性耦合等离子体放电工况中高频容性耦合等离子体的频率大于或等于60mhz。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：张权治，崔宇萌，马方方，温慧，刘泽璇，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：
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