【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁材料,具体是基于ka波段全介质材料的高q值传感器及类电磁诱导透明效应的应用。
技术介绍
1、超材料作为一种人工构建的电磁结构,具有独特的电磁响应,如负折射率、负磁导率和负介电常数。根据组成材料的不同,超表面可分为金属超材料和全介质超材料。传统的超材料主要是由贵金属材料组成,但由于金属具有欧姆损耗,基于金属结构的超材料结构的品质因数(q因子)普遍很低,fom值(figure of merit)一般为几十,极大的限制了超材料在传感领域的应用。全介质超材料在光波段,红外波段,太赫兹波段,ka波段等波段都有广泛的应用,研究者在吸波、滤波器、传感等领域。全介质超材料由于没有欧姆损耗,因此器q值普遍偏高,用于传感领域的fom值也很大,因此在传感领域有潜在的应用。
2、电磁诱导透明效应属于一种相干控制技术,最初是通过激光对原子能级进行相干控制,造成不同激励路线上的量子互扰,进而在谐振频率上消除原子对光的吸收。因为在其激励出的通带中,会附带很强的色散效应,从而极大降低光的群速,甚至让光“停止”,进而实现光信息的固态储存。而
...【技术保护点】
1.一种Ka波段全介质材料的高Q值传感器,其特征是:包括全介质材料的2×2阵列排布的传感器单元,每个传感器单元包括基底层(1)和基底层(1)上的空心圆柱结构(2);每个传感器单元的基底层(1)为正方形,边长为9.7-10mm,空心圆柱结构(2)底部位于基底层(1)中心,空心圆柱结构(2)内径1.4-1.6mm,壁厚1mm,空心圆柱结构(2)高度为8-10mm;4个传感器单元的基底层(1)为一体平板,其中3个传感器单元的空心圆柱结构(2)高度相同,1个传感器单元的空心圆柱结构(2)高度与另3个不同。
2.一种Ka波段全介质材料的高Q值传感器,其特征是:包括全
...【技术特征摘要】
1.一种ka波段全介质材料的高q值传感器,其特征是:包括全介质材料的2×2阵列排布的传感器单元,每个传感器单元包括基底层(1)和基底层(1)上的空心圆柱结构(2);每个传感器单元的基底层(1)为正方形,边长为9.7-10mm,空心圆柱结构(2)底部位于基底层(1)中心,空心圆柱结构(2)内径1.4-1.6mm,壁厚1mm,空心圆柱结构(2)高度为8-10mm;4个传感器单元的基底层(1)为一体平板,其中3个传感器单元的空心圆柱结构(2)高度相同,1个传感器单元的空心圆柱结构(2)高度与另3个不同。
2.一种ka波段全介质材料的高q值传感器,其特征是:包括全介质材料的3×3阵列排布的传感器单元,每个传感器单元包括基底层(1)和基底层(1)上的空心圆柱结构(2);每个传感器单元的基底层(1)为正方形,边长为9.7-10mm,空心圆柱结构(2)底部位于基底层(1)中心,空心圆柱结构(2)内径1.4-1.6mm,壁厚1mm,空心圆柱结构(2)高度为8-10mm;9个传感器单元的基底层(1)为一体平板,其中8个传感器单元的空心圆柱结构(2)高度相同,1个传感器单元的空心圆柱结构(2)高度与另8个不同。
3.如权利要求1或2所述的ka波段全介质材料的高q值传感器,其特征是,所述基底层(1)厚度为1-1.4mm。
4.如权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员:宁仁霞,张燕飞,赵紫阳,郑雪岩,祝家乐,
申请(专利权)人:黄山学院,
类型:发明
国别省市:
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