本申请公开了一种新型钝化选择性接触结构及太阳能电池、组件及系统。所述新型钝化选择性接触结构包括：硅基底，硅基底的表面包括钝化选择性接触区域和非钝化选择性接触区域；非钝化选择性接触区域包括设置在硅基底表面的钝化减反层；钝化选择性接触区域包括从内向外依次层叠设置在钝化层、选择性传输层和金属电极，钝化层覆盖硅基底表面的部分区域，选择性传输层在硅基底表面的投影覆盖硅基底表面的部分区域。本申请中的钝化减反层、选择性传输层和钝化层协同作用，实现了优异的钝化接触效果；并且无需使用窄带隙高掺杂硅材料，降低了光学寄生吸收损失，提高光电转换效率，进而改善太阳能电池的性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及太阳能电池，具体涉及一种新型钝化选择性接触结构及太阳能电池、组件及系统。
技术介绍
1、当前晶硅太阳能电池效率提升面临p区优化问题。譬如以perc和一些p型背接触（bc）电池设计方案为例，p区以铝背场的形式提供场效应钝化，但钝化效果不佳（j0~600fa/cm2），主要原因来自较低掺杂浓度铝背场产生的弱场钝化效果以及严重的俄歇复合损失，并且铝浆对硅基底的局部腐蚀会增加金属诱导界面缺陷对载流子的捕获，很大程度上制约voc和ff的进一步提升。对于基于p型poly-si的电池（例如topcon和topcon-bc）来说，面临硼和镓掺杂困难，内扩引起严重复合损失和窄带隙高掺杂引起的光学寄生吸收损失。对于基于p区掺硼氢化非晶硅(a-si:h)的电池(例如硅异质结shj)来说，面临严重的光学寄生吸收损失，制约短路电流(jsc)的进一步提高。因此，如何提升钝化效果减少复合损失同时抑制光学寄生吸收损失，对于改善太阳能电池的性能具有非常重要的影响。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种新型钝化选择性接触结构，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的表面包括钝化选择性接触区域和非钝化选择性接触区域；
2.根据权利要求1所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，以在所述硅基底表面的投影为准，所述钝化层的投影覆盖所述硅基底表面的部分区域，所述选择性传输层的投影覆盖所述硅基底表面的部分区域；
3.根据权利要求1所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，所述钝化减反层包括由内向外叠层设置的氧化铝和氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.1-300nm。
>5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种新型钝化选择性接触结构，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的表面包括钝化选择性接触区域和非钝化选择性接触区域；
2.根据权利要求1所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，以在所述硅基底表面的投影为准，所述钝化层的投影覆盖所述硅基底表面的部分区域，所述选择性传输层的投影覆盖所述硅基底表面的部分区域；
3.根据权利要求1所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，所述钝化减反层包括由内向外叠层设置的氧化铝和氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.1-300nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述选择性传输层包括空穴选择性传输层或电子选择性传输层，第一钝化层对应所述空穴选择性传输层设置，所述第二钝化层对应所述电子选择性传输层设置。
6.根据权利要求5所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于，所述空穴选择性传输层包括空穴选择层，或由内向外层叠设置的空穴选择层和空穴传输层，或由内向外层叠设置的空穴选择层和电子传输层；
7.根据权利要求5所述的新型钝化选择性接触结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙恒，谭善，於龙，徐新星，童洪波，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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