2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置制造方法及图纸

技术编号:43674042 阅读:32 留言:0更新日期:2024-12-18 20:58
本技术涉及全固体激光器技术领域,公开了一种2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置。该装置包括:2微米波段低增益介质模块、高反镜、Q开关、高耦合率输出镜模块、低耦合率输出镜模块、电源及控制器;其中,2微米波段低增益介质模块、高反镜和Q开关,分别与高耦合率输出镜模块和与低耦合率输出镜模块组成第一组和第二组2微米波段低增益介质激光振荡放大腔。本技术采用一键切换第一组和第二组2微米波段低增益介质激光振荡放大腔结构设计,实现一台2微米波段低增益介质激光装置既能高峰值功率激光输出,又能高平均功率激光输出,装置简单可靠性高,器件少价格便宜,在激光医疗、工业制造等方向应用广泛。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及全固体激光器,尤其涉及一种2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置


技术介绍

1、2微米波段激光为人眼安全波段,特别是这个波段覆盖着很多分子的吸收峰,如h2o、co2、no2等,其在激光医疗、工业制造、大气污染监测等方向广泛应用。随着2微米波段激光应用市场的发展需求,一机多功能、简单紧凑可靠、器件少造价便宜的2微米实用化设备,将更加受到市场的青睐。

2、目前,常用于实现2微米波段激光的增益介质主要包括单掺钬(ho3+)离子晶体(ho:yag)、单掺铥(tm3+)离子晶体(tm:ylf,tm:yag,tm:yap)、多掺铥钬(tm3+,ho3+)离子晶体(cr,tm,ho:yag,tm,ho:yag,tm,ho:ylf)等。这些晶体有共同的不足之处,它们的受激发射截面值很小,如tm:yag晶体的受激发射截面值为~2×10-21/cm2,nd:yag晶体受激发射截面值~2.8×10-19/cm2,yb:yag晶体受激发射截面~2.1×10-20/cm2。tm:yag晶体的受激发射截面值为nd:yag晶体受激发射截面值的1%,为y本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,包括:2微米波段低增益介质模块(1)、高反镜(2)、Q开关(3)、高耦合率输出镜模块(4)、低耦合率输出镜模块(5)、电源(6)及控制器(7);

2.根据权利要求1所述的2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,从所述第一组和第二组2微米波段低增益介质激光振荡放大腔中输出的激光包括单臂共轴输出和双臂非共轴输出;

3.根据权利要求1所述的2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,所述第一组和第二组2微米波段低增益介质激光振荡放大腔自动变换位置与方位的方...

【技术特征摘要】

1.一种2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,包括:2微米波段低增益介质模块(1)、高反镜(2)、q开关(3)、高耦合率输出镜模块(4)、低耦合率输出镜模块(5)、电源(6)及控制器(7);

2.根据权利要求1所述的2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,从所述第一组和第二组2微米波段低增益介质激光振荡放大腔中输出的激光包括单臂共轴输出和双臂非共轴输出;

3.根据权利要求1所述的2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,所述第一组和第二组2微米波段低增益介质激光振荡放大腔自动变换位置与方位的方式,包括在水平面上移动自动变换和在竖直面上转动自动变换的方式。

4.根据权利要求1所述的2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,所述高耦合率输出镜(41)和低耦合率输出镜(51),包括在一片光学基片表面镀制t1和t2两种输出耦合率和在二片光学基片表面镀制t1和t2两种输出耦合率。

5.根据权利要求1所述的2微米波段低增益介质高峰值功率和高平均功率激光装置,其特征在于,所述高耦合率输出镜位置移动与反馈器件(42)和所述低耦合率输...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜仕峰王志超
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
类型:新型
国别省市:

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