【技术实现步骤摘要】
本技术属于集成电路，具体涉及一种用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路。
技术介绍
1、高边开关(high side driver)是指将驱动控制模块、状态检测与保护电路、功率器件集成在一起的智能功率元件，广泛用于新能源汽车、自动化控制、航空航天等领域。高边开关要应对在寒冷、高温等恶劣条件，具备高可靠性、高稳定性、主动保护等性能。各种检测和保护电路的稳定性起到重要作用，其中对芯片的发热量大的功率管区域的温度检测和过温保护模块，可以有效避免芯片在超出功率管安全工作区的状态下持续工作而导致整个芯片发生热损毁。
2、传统的过温保护电路多数采用二极管作为温度传感元件，利用其负温度特性实时检测二极管正向压降，并与过温保护点进行比较。但是二极管的正向导通压降受工艺和流入电流的影响很大，工艺和电流的波动会导致过温保护电路的保护温度和恢复温度同样受到波动，会影响电路工作的稳定性。
技术实现思路
1、鉴于以上存在的问题，本技术提供一种用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路。
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【技术保护点】
1.一种用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，包括基准电压电路、温度检测电路、电压比较电路和迟滞输出电路；
2.如权利要求1所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，所述基准电压电路采用至少两个电阻串联的方式设置。
3.如权利要求1所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、电阻R3，第一三极管Q1以及芯片内部偏置电路提供的偏置电流IBIAS。
4.如权利要求3所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，包括基准电压电路、温度检测电路、电压比较电路和迟滞输出电路；
2.如权利要求1所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，所述基准电压电路采用至少两个电阻串联的方式设置。
3.如权利要求1所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路包括第一pmos管m1、第二pmos管m2、电阻r3，第一三极管q1以及芯片内部偏置电路提供的偏置电流ibias。
4.如权利要求3所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，所述第一三极管q1为pnp型三极管，第一三极管的基极与集电极接地并连接，第一pmos管m1和第二pmos管m2组成电流镜结构为第一三极管q1提供恒定的偏置电流，第三电阻r3的一端连接第二pmos管的漏极，第三电阻r3的另一端连接第一三极管q1的发射极。
5.如权利要求1所述的用于高边开关芯片的带温度迟滞的过温保护电路，其特征在于，所述电压比较电路包括第三pmos管m3、第四pmos管m4、第五pmos管m5、第六pmos管m11、第七pmos管m12、第八pmos管m13、第一nmos管m6、第二nmos管m7、第三nmos管m8、第四nmos管m9、第五nmos管m10和第六nmos管m14，第四pmos管的栅极作为电压比较器电路的同相输入端，与温度检测电路的输出端连接；第五pmos管的栅极作为电压比较电...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁盛林，王帅，韦睿，余富群，
申请(专利权)人：芯鎏电子苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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