溶胶-凝胶法制备铝掺杂三氧化二钒薄膜的方法技术

技术编号:43669575 阅读:26 留言:0更新日期:2024-12-18 20:55
本发明专利技术公开了一种溶胶‑凝胶法制备铝掺杂三氧化二钒薄膜的方法,将异丙醇钒与异丙醇铝溶液溶于异丙醇中,并加入乙酸充分混合均匀后获得溶胶;将溶胶逐滴滴涂在三氧化二铝基片表面形成薄膜,每一滴干燥后再滴下一滴,通过不同的滴数控制薄膜的相对厚度。将获得的薄膜放在石墨舟中,并在其周围放上二氧化钒粉末,将石墨舟放在氧化铝方形坩埚中,然后将坩埚放进管式炉中,先在相对低的温度中还原成二氧化钒,而后继续在还原性氛围中升温退火得到掺杂的三氧化二钒薄膜。本发明专利技术得到的成品是多晶膜,得到的薄膜均匀,薄膜高温相变在250K~380K之间,相变后电阻变化2~20倍。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及三氧化二钒材料的制备方法,具体而言,涉及一种溶胶-凝胶法制备铝掺杂三氧化二钒薄膜的方法


技术介绍

1、三氧化二钒(v2o3)是一种经典的具有金属-绝缘转变的材料,在常温常压下为顺磁性金属相(pm),但是当温度很低时就会变成反铁磁性绝缘相(afi),这个温度在160k附近,电阻的变化幅度大约在4~6个量级,常温下晶体结构为刚玉结构,属于六方晶系,当发生低温绝缘金属相变后,刚玉结构变为单斜结构。但是当掺杂少量的铝时,其电阻特性呈现正温度系数特性,掺杂后的三氧化二钒就会出现一个新的相变,即在升温时经历从顺磁金属相向顺磁绝缘相(pi)转变,而且掺杂后三氧化二钒金属绝缘转变温度会随着铝含量增加而降低,是相变温度趋向于向室温,出现金属相与绝缘相之间的转变,此相变与温度、电场、压强、磁场等有关,且通常伴随着电学、光学等物性的显著变化,因而在电子元器件方面应用广泛。

2、常见的制备薄膜的工艺有很多,常见的有磁控溅射、化学气相沉积法等。溅射所获得的薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好,但是此方法不容易控制钒的价态,而化学气相沉积法的设备以及操作比较本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种溶胶-凝胶法制备铝掺杂三氧化二钒薄膜的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤一中,使用磁力搅拌器搅拌,转速为每分钟1000-1200转。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:步骤一中,异丙醇铝溶液的浓度为1.5-2mg/ml。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:步骤二中,所述的异丙醇钒、异丙醇、乙酸和异丙醇铝溶液的体积比为1:20:1:(4.8-9.72)。

5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于:步骤三中,薄膜涂覆时的环境湿度为35%~80%。

<p>6.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种溶胶-凝胶法制备铝掺杂三氧化二钒薄膜的方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:步骤一中,使用磁力搅拌器搅拌,转速为每分钟1000-1200转。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:步骤一中,异丙醇铝溶液的浓度为1.5-2mg/ml。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:步骤二中,所述的异丙醇钒、异丙醇、乙酸和异丙醇铝溶液的体积比为1:20:1:(4.8-9.72)。

5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于:步骤三中,薄膜涂覆时的环境湿度为35%~8...

【专利技术属性】
技术研发人员:马永昌肖国强
申请(专利权)人:天津理工大学
类型:发明
国别省市:

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