【技术实现步骤摘要】
所属的技术人员能够理解，本申请的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本申请的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图4来描述根据本申请的这种实施方式的电子设备300。图4显示的电子设备300仅仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图4所示，电子设备300以通用计算设备的形式表现。电子设备300的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元310、上述至少一个存储单元320、连接不同系统组件(包括存储单元320和处理单元310)的总线330。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元310执行，使得所述处理单元310执行本说明书上述“实施例方法”部分中描述的根据本申请各种示例性实施方式的步骤。存储单元320可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)321和/或高速缓存存储单元322，还可以进一步包括只读存储单元(rom)323。存储单元32...
【技术保护点】
1.一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，应用于结晶槽，所述结晶槽用于对液体金属镓进行结晶，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，所述根据所述当前压力确定所述结晶槽内液体金属镓的当前质量，包括：
3.根据权利要求2所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，在所述根据目标关系和所述当前压力，确定所述当前质量之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，所述结晶槽的底部设置有出料管，对结晶槽内的液体金属镓进行结晶时，所述出料管处于关闭状态，所述获取所述结晶槽内底部的当前压
<...【技术特征摘要】
1.一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，应用于结晶槽，所述结晶槽用于对液体金属镓进行结晶，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，所述根据所述当前压力确定所述结晶槽内液体金属镓的当前质量，包括：
3.根据权利要求2所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，在所述根据目标关系和所述当前压力，确定所述当前质量之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，所述结晶槽的底部设置有出料管，对结晶槽内的液体金属镓进行结晶时，所述出料管处于关闭状态，所述获取所述结晶槽内底部的当前压力，包括：
5.根据权利要求1所述的一种高纯镓结晶控制方法，其特征在于，所述结晶槽的温度场包括位于所述结晶槽外的冷却温度场，所述冷却温度场小于28℃，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亚伟，石亚飞，胡渤，管督，秦曾言，陈勇军，沈乐，徐慧杰，高慧，宋婧，
申请(专利权)人：中铝郑州有色金属研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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