【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子级硫酸,尤其是一种制备电子级硫酸的方法。
技术介绍
1、电子级硫酸作为一种超净高纯试剂,主要用于硅晶片的清洗和蚀刻,可有效去除硅晶片上的杂质颗粒、无机残留物和碳沉积物,其纯度直接影响着集成电路的成品率,被广泛应用于半导体、超大规模集成电路的装配和加工过程。电子级硫酸的纯度和洁净度对电子元件的成品率、电性能及可靠性有着重要的影响。
2、中国专利cn113274750b:属于化工产品制备领域,尤其涉及一种电子级硫酸制备装置及其制备方法。该装置包括预处理池,该预处理池内盛装强氧化剂,强氧化剂包括高锰酸钾和重铬酸钾,用于氧化工业硫酸原料中的还原性杂质;精馏塔内部温度为185-195℃,压力为1.45-2.23kpa,用于去除预处理池中氧化反应生成的硫酸盐杂质,得到高纯度硫酸;吸收处理塔,吸收处理塔内设有碱性溶液,用于吸收中和精馏塔中产生的酸性废气;过滤器内设有微孔滤膜,可将高纯度硫酸中的微细固体颗粒杂质滤除。
3、中国专利cn114314525a:提供一种气体吸收的方法制备电子级硫酸的工艺,包括以下步骤
...【技术保护点】
1.一种制备电子级硫酸的方法,其操作步骤为:
2.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的工业级液体三氧化硫含量为99.9%。
3.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的气化压力为-10~10kpa,操作温度为35-50℃。
4.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的吸收装置为3个依次串联的吸收塔组成,每个吸收塔均配有冷却器,来移除反应热。
5.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的吸收的温度为60-90℃,压力为-10
...【技术特征摘要】
1.一种制备电子级硫酸的方法,其操作步骤为:
2.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的工业级液体三氧化硫含量为99.9%。
3.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的气化压力为-10~10kpa,操作温度为35-50℃。
4.根据权利要求1所述的一种制备电子级硫酸的方法,其特征在于:所述的吸收装置为3个依次串联的吸收塔组成,每个吸收塔均配有冷却器,来移除反应热。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢振成,贺辉龙,张洪礼,程文海,毛索源,周涛涛,姜奇,陈碧野,陈友豪,任郎郎,张晓东,姜瓘涛,
申请(专利权)人:中巨芯湖北科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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