【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装领域，并且更具体地，涉及一种键合晶圆划片的方法和芯片裸晶。
技术介绍
1、晶圆划片(wafer dicing)工艺是指将单个或者多个芯片裸晶(die)从晶圆上切割下来，用于随后的芯片接合(die bonding)、引线接合(wire bonding)和测试工序等。其中，键合晶圆大都由至少两片晶圆键合而成，例如键合晶圆可以是由两片晶圆混合键合形成，其中两片晶圆的本体材料层之间可以设置中间层，该中间层可以由包括金属布线和介电材料的晶圆的功能层以及包括键合金属的键合层构成，其中功能层可以包括介电强度低或者层间结合力弱的低介电(low k)层或极低介电(extremely low k,elk)层。
2、现阶段的晶圆划片方法大都采用直接刀片划片或者先激光开槽再刀片划片的方法。对于键合晶圆特别是混合键合的晶圆，直接刀片划片的方法会使得中间层特别是晶圆的功能层受应力出现分层或开裂，特别是其中的low k层或elk层，并且这些缺陷由于被处于顶层的晶圆的本体材料层遮挡而难以有效检验；激光开槽的方法需要去除掉顶层晶圆的本体材料...
【技术保护点】
1.一种键合晶圆划片的方法，其特征在于，所述键合晶圆包括第一晶圆的第一本体材料层、第二晶圆的第二本体材料层以及位于所述第一本体材料层和所述第二本体材料层之间的中间层，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度，使得所述芯片裸晶的中间子层包括位于所述中间子层的边缘且未被所述芯片裸晶的第一本体材料子层覆盖的第一部分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述中间子层的第一部分靠近所述第一本体材料子层的表面设置有参考线缆，所述参考线缆用于确定所述第一晶圆划片工艺和/或所述第二晶圆划片工艺的
<...【技术特征摘要】
1.一种键合晶圆划片的方法，其特征在于，所述键合晶圆包括第一晶圆的第一本体材料层、第二晶圆的第二本体材料层以及位于所述第一本体材料层和所述第二本体材料层之间的中间层，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度，使得所述芯片裸晶的中间子层包括位于所述中间子层的边缘且未被所述芯片裸晶的第一本体材料子层覆盖的第一部分。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述中间子层的第一部分靠近所述第一本体材料子层的表面设置有参考线缆，所述参考线缆用于确定所述第一晶圆划片工艺和/或所述第二晶圆划片工艺的加工位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆划片工艺包括等离子刻蚀工艺。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二晶圆划片工艺包括激光加工工艺。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述从所述第二沟槽的底面加工并贯穿所述第二本体材料层包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三晶圆划片工艺包括刀片切割工艺。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第三沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度，使得所述芯片裸晶的第二本体材料子层包括位于所述第二本体材料子层的边缘且未被所述芯片裸晶的中间子层覆盖的第一部分。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的底面为所述中间层与所述...
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