FBAR与IPD融合宽带锐利双边带滤波电路及芯片制造技术

技术编号:43661929 阅读:26 留言:0更新日期:2024-12-13 12:52
FBAR与IPD融合宽带锐利双边带滤波电路及芯片,本公开涉及一种基于薄膜体声波谐振器与集成无源器件的滤波器和封装结构,滤波器包括:第一信号传输端、第二信号传输端和滤波网络;滤波网络包括N个由薄膜体声波谐振器构成的第一谐振单元,M个由电感和电容构成的第二谐振单元、Q个由薄膜体声波谐振器以及串接的电感构成的第三谐振单元和至少一个由电感和电容构成的第四谐振单元,其中N、M和Q均为大于等于2的自然数,且至少一个第三谐振单元中的薄膜体声波谐振器的谐振频率与其他第三谐振单元中的薄膜体声波谐振器的谐振频率不相同;第一谐振单元和第二谐振单元设置在第一信号传输端和第二信号传输端之间的串联支路上,第三谐振单元和第四谐振单元设置在并联支路和地之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种滤波器和芯片,更具体而言,涉及一种fbar与ipd融合宽带锐利双边带滤波电路及芯片。


技术介绍

1、薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator,fbar)是一种利用压电材料的薄膜层来实现声波谐振的射频器件。fbar技术在射频滤波器设计中扮演着至关重要的角色,特别是在移动通信、卫星通信和雷达系统中,因为它们提供了高频率选择性、高q值、小尺寸和低功耗的特性。

2、尽管fbar技术在许多射频应用中表现出色,但在设计大带宽器件时,由于薄膜体声波谐振器构建的滤波器的带宽较小,且在较高频段的q值容易恶化,如果用薄膜体声波谐振器在实现大带宽器件时,则需要在设计时牺牲大量的损耗和抑制等其他性能来满足带内匹配。

3、现有的无源集成器件(ipd:intergrated passive devices)技术利用电感和电容构成的lc滤波器虽然可以实现大带宽,但由于工艺的限制,ipd工艺实现的电感和电容的q值不高,q值不高会导致元件的损耗加大,造成lc滤波器插损恶化。因此在设计时需要限制器件的数量以降低整体的能量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种滤波器电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的滤波器电路,其特征在于:设置在串联支路上的多个第一谐振单元之间不被第二谐振单元隔离开,且各个第三谐振单元各自与多个第一谐振单元构成的串联支路中的一连接节点连接。

3.如权利要求1所述的滤波器电路,其特征在于:第一并联支路的第三谐振单元中的至少一个薄膜体声波谐振器的谐振频率小于其他第三谐振单元中的薄膜体声波谐振器的谐振频率。

4.如权利要求3所述的滤波器电路,其特征在于:滤波网络包括依次连接的第一串联支路、第二串联支路、第三串联支路和第四串联支路,第一串联支路和第二串联支路之间具有第一节点,第...

【技术特征摘要】

1.一种滤波器电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的滤波器电路,其特征在于:设置在串联支路上的多个第一谐振单元之间不被第二谐振单元隔离开,且各个第三谐振单元各自与多个第一谐振单元构成的串联支路中的一连接节点连接。

3.如权利要求1所述的滤波器电路,其特征在于:第一并联支路的第三谐振单元中的至少一个薄膜体声波谐振器的谐振频率小于其他第三谐振单元中的薄膜体声波谐振器的谐振频率。

4.如权利要求3所述的滤波器电路,其特征在于:滤波网络包括依次连接的第一串联支路、第二串联支路、第三串联支路和第四串联支路,第一串联支路和第二串联支路之间具有第一节点,第二串联支路和第三串联支路之间具有第二节点,第三串联支路和第四串联支路之间具有第三节点,第一并联支路设置在第一节点和地之间,第二并联支路设置在第二节点和地之间,第三并联支路设置在第三节点和地之间,第一串联支路和第四串联支路包括第二谐振单元,第二串联支路和第三串联支路包括第一谐振单元,第一并联支路和第三并联支路包括第三谐振单元,第二并联支路包括第四谐振单元。

5.如权利要求4所述的滤波器电路,其特征在于:第一串联支路中的第二谐振单元由电容c3_1和电感l3_1串联构成,第二串联支路中的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴永乐李科言赖志国杨清华王卫民杨雨豪
申请(专利权)人:北京邮电大学
类型:发明
国别省市:

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