【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书涉及电压电平变换器，且更具体地，涉及浮动高电压电平变换器。
技术介绍
1、电压电平变换器，也称为电压电平移位器，是将给定信号从一个电压域变换到另一电压域的电路，这对于利用多个电压域的应用是有用的。在其间执行变换的电压域可不同，但可包含例如第一逻辑域和第二逻辑域(例如，其中电平变换器将ttl信号移位到ecl信号或cmos信号或反过来的情况，其中ttl是指晶体管到晶体管逻辑，ecl是指发射极耦合逻辑，且cmos是指互补金属氧化物半导体)，或低电压域和高电压域(例如，其中电平变换器将相对低电压信号移位到相对高电压信号或反过来的情况)。
2、浮动高电压电平变换器用于将从低电压电路接收到的输入控制信号的高电平和低电平移位到具有浮动电源轨和参考(地)轨的高电压电路的高电平和低电平。浮动电源轨与参考轨之间的电位差可相对较低(例如，小于5伏，例如2伏或3伏)，但浮动电源轨和浮动参考轨的相应绝对值可根据应用而变化，且可为相对高的电压(例如，2伏到700伏)。
3、许多电平变换器设计是可用的，每个设计都提供了给定应用可能期望...
【技术保护点】
1.一种电压电平变换器电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述浮动供电端子是第一供电端子，所述电压电平变换器电路另外包括反相器，所述反相器经配置以产生所述输入信号的所述反相版本，所述反相器耦合到第二供电端子。
3.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述第五FET的所述漏极通过第一电阻器耦合到所述第一输出端子，且所述第六FET的所述漏极通过第二电阻器耦合到所述第二输出端子。
4.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述输入信号是脉宽调制信号。
5.根据权利要求1所述的电压电平变...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电压电平变换器电路，其包括：
2.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述浮动供电端子是第一供电端子，所述电压电平变换器电路另外包括反相器，所述反相器经配置以产生所述输入信号的所述反相版本，所述反相器耦合到第二供电端子。
3.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述第五fet的所述漏极通过第一电阻器耦合到所述第一输出端子，且所述第六fet的所述漏极通过第二电阻器耦合到所述第二输出端子。
4.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述输入信号是脉宽调制信号。
5.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中所述第一和第二fet各自为n型fet(nfet)，且所述第三和第四fet各自为p型fet(pfet)。
6.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其另外包括差分输出锁存器电路，所述差分输出锁存器电路具有耦合到所述第一输出端子的第一输入、耦合到所述第二输出端子的第二输入、第一锁存输出和第二锁存输出。
7.根据权利要求6所述的电压电平变换器电路，其另外包括逻辑锁存器电路，所述逻辑锁存器电路具有耦合到所述差分输出锁存器的所述第一锁存输出的第一输入、耦合到所述差分输出锁存器的所述第二锁存输出的第二输入，以及第三锁存输出。
8.根据权利要求7所述的电压电平变换器电路，其另外包括经配置以接收所述第三锁存输出且提供输出信号的缓冲器或驱动器电路。
9.根据权利要求1所述的电压电平变换器电路，其中：
10.根据权利要求9所述的电压电平变换器电路，其中所述第七、第八、第九和第十fet中的每一者是n型fet(nmos)fet。
11.一种集成电路，其包括高侧低侧驱动器，所述高侧低侧驱动器包含根据权利要求1所述的电压电平变换器电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·L·戴克，S·K·韦穆里，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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