一种催化剂及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开一种催化剂的制备方法，包括：(1)将铜盐溶解后，加入硅源，搅拌均匀，得到溶液A；(2)将沉淀剂溶解，得到溶液B；(3)将去离子水加热至第一温度并维持，开启搅拌，再将溶液A和溶液B同时滴加到去离子水中，形成悬浊液，滴加完成后，将悬浊液进行老化处理；(4)将老化处理后的悬浊液趁热过滤，得到蓝色沉淀，再经洗涤、干燥后，得到催化剂中间体；(5)将催化剂中间体研磨成细粉后进行焙烧，得到催化剂产品。本发明专利技术还公开一种上述方法制备的催化剂及其应用。相比于现有技术，本发明专利技术制备的催化剂的活性组分分散度高，比表面积大，活性高，制备工艺简单，该催化剂应用于四氯化硅冷氢化反应可以使反应维持较高的转化率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于多晶硅生产，具体涉及一种用于四氯化硅冷氢化反应的催化剂及其制备方法和应用。

技术介绍

1、多晶硅是全球电子工业和光伏产业的基础材料，被广泛应用于人工智能、自动控制、信息处理和光伏发电等领域，被认为是为“微电子大厦的基石”。在多晶硅的生产过程中会产生大量的四氯化硅副产物，其非常活泼，在潮湿的空气中易发生水解生成有毒的腐蚀性烟气，对人体和环境造成危害。

2、在改良西门子法中，四氯化硅的氢化反应技术是该工艺的核心技术之一，实现了四氯化硅的回收再利用，降低了多晶硅的生产成本。四氯化硅的冷氢化反应在流化床反应器或者固定床反应器中进行，将四氯化硅和氢气通过设有硅粉的床层，生成三氯氢硅，总的反应方程式为：相较于热氢化反应，冷氢化反应的温度更低，能耗更少，加入催化剂还可以提高反应速度，在反应停留时间相同的情况下可提高四氯化硅的转化率和三氯氢硅的产率。

3、目前，冷氢化反应主要采用的是非均相催化剂，且主要以过渡金属(cu、ni、fe和co等)催化剂为主，这些催化剂存在一些问题，比如：

4、中国专利cn103055861b公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种催化剂的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述铜盐为硝酸铜、氯化铜、硫酸铜和乙酸铜中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述硅源为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯和四丙氧基硅烷中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述沉淀剂为(NH4)2CO3。

5.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述第一温度为78～82℃，悬浊液的pH控制为7～7.5，老化处理的时间为12h及以上，老化处理的温度为78～82℃。

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【技术特征摘要】

1.一种催化剂的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述铜盐为硝酸铜、氯化铜、硫酸铜和乙酸铜中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述硅源为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯和四丙氧基硅烷中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述沉淀剂为(nh4)2co3。

5.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述第一温度为78～82℃，悬浊液的ph控制为7～7.5，老化处理的时间为12h及以上，老化处理的温度为78～82℃。

6.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述溶液a和所述溶液b的滴加时间整体不超过2h。

7.根据权利要求1所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述焙烧包括：

8.根据权利要求7所述的催化剂的制备方法，其特征在于，所述第二温度为500～700℃，维持的时间为3～6h。

9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晖，李璐，吕学谦，苏国良，
申请(专利权)人：新特能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：