温度传感器电路制造技术

本公开涉及温度传感器电路，包括：PTAT电压电路；参考电流源；电容器；重置开关，其跨所述电容器连接；比较器，其被构造成比较所述电容器的电压与所述PTAT电压并提供比较器输出(U/D)；计数器电路，其被构造成依据所述比较器输出(U/D)使输出字(Kdig)递增或递减，并重复执行以下顺序步骤：i)提供重置信号以短暂地闭合所述重置开关，使所述电容器放电；ii)在所述参考电流源对所述电容器进行充电时，对与所述输出字(Kdig)相对应的时钟循环数目进行计数；以及iii)依据所述比较器输出(U/D)，使所述输出字(Kdig)递增或递减，其中在重复所述顺序步骤之后，所述输出字(Kdig)收敛到与所述PTAT电压电路的温度相对应的值。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及温度传感器电路。

技术介绍

1、温度传感器可以通过比较温度相依信号和温度无关信号的幅度来实施。这两个幅度之间的比率含有关于温度的信息，它可以转换成数字字。

2、在集成电路(ic)内，例如在测量具有固定电流密度比率n(其中n≠1)的两个标称相同pn结之间的电压差时，可以获得准确的温度相依电压。对于具有电流密度比率n的两个二极管，这两个二极管电压之间的电压差δvd由下式给出：

3、δvd ＝ vt ln (n)

4、其中vt＝kt/q，k＝1.38*10-23j/k(波尔兹曼常量)，q＝1.6*10-19c(电子电荷)，并且t是以开氏度为单位的绝对温度。

5、δvd中的唯一变量是绝对温度t。出于此原因，这个电压表示为“与绝对温度成比例”(ptat)电压。

6、ptat电压同样在获取具有固定集电极电流密度比率n(其中n≠1)的两个相同双极晶体管的两个基极到发射极电压之间的差(δvbe)或具有固定漏极电流密度比率n(其中n≠1)且在弱反型区偏置的两个相同mos晶体管的两个栅极到源极电压之间的差(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度传感器电路(200，300，500，600)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的温度传感器电路(200，300，500)，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的温度传感器电路(300，500，600)，其特征在于，所述计数器电路(306，506，606)包括：

4.根据权利要求3所述的温度传感器电路(300，500)，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的温度传感器电路(500)，其特征在于，所述参考电流源(501)包括具有连接到所述供应轨(213)的源极和连接到所述节点(512)的漏极的第一PMOS晶体管(50...

【技术特征摘要】

1.一种温度传感器电路(200，300，500，600)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的温度传感器电路(200，300，500)，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的温度传感器电路(300，500，600)，其特征在于，所述计数器电路(306，506，606)包括：

4.根据权利要求3所述的温度传感器电路(300，500)，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的温度传感器电路(500)，其特征在于，所述参考电流源(501)包括具有连接到所述供应轨(213)的源极和连接到所述节点(512)的漏极的第一pmos晶体管(502a)。

6.根据权利要求5所述的温度传感器电路(500)，其特征在于，包括具有连接到所述供应轨的源极和连接到所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·范德卡门，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：