烧结接合用片制造技术

提供一种烧结接合用片，其具备烧结接合层，所述烧结接合层包含有机粘结剂和含有导电性金属的烧结性颗粒，在以100倍率观察前述烧结接合层的表面而得到的观察图像中，观察到的空隙尺寸之中的最大尺寸为100μm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如在制造半导体装置时使用的烧结接合用片。

技术介绍

1、以往，已知有在半导体装置的制造中使用的烧结接合用片。这种烧结接合用片具有烧结接合层，所述烧结接合层包含有机粘结剂和含有导电性金属的烧结性颗粒。烧结接合层因包含有机粘结剂而具有压敏粘接性。

2、在半导体装置的制造中，通过在基板的单面与半导体元件(半导体芯片等)之间配置上述烧结接合层并进行烧结处理，从而借助烧结接合层将基板与半导体元件进行接合。

3、例如，实施下述那样的各工序来制造半导体装置。

4、(1)在层叠基材和粘合剂层而成的切割带的粘合剂层上粘贴半导体晶圆并固定后，切割半导体晶圆而单片化为多个半导体元件。

5、(2)使用夹持器等工具将1个半导体元件自粘合剂层剥离并提起后，将1个半导体元件按压在烧结接合用片的烧结接合层上。利用该按压力，以尺寸与半导体元件的尺寸相当的方式将烧结接合层的一部分进行单片化。同时，使单片化的烧结接合层粘接于半导体元件，并将夹持器等工具向上提起，由此拾取粘接有烧结接合层的单片的1个半导体元件。</p>

6、(3本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种烧结接合用片，其具备烧结接合层，所述烧结接合层包含有机粘结剂和含有导电性金属的烧结性颗粒，

2.根据权利要求1所述的烧结接合用片，其中，在所述观察图像的至少9mm2的范围内，所述空隙的面积比例为5.0％以下。

3.根据权利要求1或2所述的烧结接合用片，其中，所述烧结接合层的复数粘度在25℃下为3.0×106[Pa·s]以上且3.0×1010[Pa·s]以下。

4.根据权利要求1或2所述的烧结接合用片，其中，所述烧结接合层包含60质量％以上且99质量％以下的所述烧结性颗粒。

5.根据权利要求1或2所述的烧结接合用片，其中，所述烧结性颗...

【技术特征摘要】

1.一种烧结接合用片，其具备烧结接合层，所述烧结接合层包含有机粘结剂和含有导电性金属的烧结性颗粒，

2.根据权利要求1所述的烧结接合用片，其中，在所述观察图像的至少9mm2的范围内，所述空隙的面积比例为5.0％以下。

3.根据权利要求1或2所述的烧结接合用片，其中，所述烧结接合层的复数粘度在25...

【专利技术属性】
技术研发人员：三田亮太，大木场祐一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：