一种陶瓷粉体及陶瓷薄片基板的制粉方法技术

本申请属于陶瓷废片返用技术领域，公开了一种陶瓷薄片基板的制粉方法，先对陶瓷薄片基板废料进行至少三次烧结，得到中间体，再将制得的中间体破碎、球磨后与溶剂、分散剂混合并砂磨，得到浆料，随后将制得的浆料喷雾造粒得到陶瓷粉体；在中间体制备的烧结过程中，烧结温度为800～1400℃，时间为1.5～3h，本申请通过对陶瓷薄片的烧结，使得陶瓷薄片的晶胞在高温状态下持续生长，进而减少陶瓷薄片的晶界数量，从而使陶瓷薄片的脆性增大，使其更加易于研磨，此外，本申请还公开了使用上述陶瓷薄片基板的制粉方法制得的陶瓷粉体。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及陶瓷废片返用，尤其涉及一种陶瓷粉体及陶瓷薄片基板的制粉方法。

技术介绍

1、如今，陶瓷基板在新能源和电子芯片等领域应用越来越广泛，多种陶瓷材料可以用于许多不同的单元，而氧化锆陶瓷主要应用于高新精密领域，其表面缺陷控制非常严格，不允许出现任何缺陷如明显花纹，剐蹭，孔洞，裂纹，凹坑的等缺陷，这导致生产过程中出现大量次样，以目前行业内水平来看缺陷率高达40％，这是非常大的一个数量，因此需要开发一种将其回收利用，变回原料的工艺，且要尽量各种性质与原料无异，其中包括在一定范围内的比表面积和超细的粒度分布，极少的杂质引入。

2、这种陶瓷薄片基板一般是使用流延烧结法制备，先将粉体原料通过配料分散，和溶剂助剂一起配成浆料，然后通过流延机将浆料流延成精确规格的生坯薄片，最后再排胶烧结成陶瓷成瓷，经过质检分为次样和合格样品，此时的次样就是我们需要将其变成粉体的原料。目前主流的次样处理方法是酸溶沉淀法回收金属再重新制粉，这种方法污染大，花费周期长，成本较高；

3、同时，在陶瓷片研磨过程中为使粉体被研磨至更细的粒径常常使用磨球进行球磨，而磨球又多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述步骤2中砂磨过程的转速为800～1200r/min，时间为1.5～4h。

3.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述步骤1中，烧结的次数为三次；

4.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述陶瓷薄片基板为氧化锆陶瓷薄片基板。

5.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述步骤2的球磨过程中，磨球与经过破碎的中间体的质量比为4～6：4～6；</p>

6.根据...

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述步骤2中砂磨过程的转速为800～1200r/min，时间为1.5～4h。

3.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述步骤1中，烧结的次数为三次；

4.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述陶瓷薄片基板为氧化锆陶瓷薄片基板。

5.根据权利要求1所述的陶瓷薄片基板的制粉方法，其特征在于，所述步骤2的球磨过程中，磨球与经过破碎的中间体的质量比为4～6：4～6；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉玺，王云，朱明敏，卞浩东，罗贤科，武红辉，童培云，张文涛，
申请(专利权)人：先导薄膜材料淄博有限公司，
类型：发明
国别省市：