一种镍钒合金靶材晶粒细化方法技术

本发明专利技术公开了一种镍钒合金靶材晶粒细化方法及等径角挤压模具，属于金属材料加工大塑性变形领域。所述方法包括：对镍钒铸锭进行均匀化退火(1200℃/2h，AC)，之后使用B<subgt;C</subgt;路径进行8道次挤压，总变形量为165％。每道次挤压分为三个阶段，前四道次挤压速率一样，后四道次挤压速率相对慢一些。前四道次挤压中每道次挤压速率为10mm/s、8mm/s、6mm/s，后四道次挤压中每道次的挤压速率为8mm/s、6mm/s、4mm/s。所述的等径角挤压模具是由L形通道组成，模具内角为120°，外角为30°；之后进行去应力退火(700℃/1h，AC)；随后进行大变形冷轧，变形量为90％，样品减薄至3mm；之后对板材进行再结晶退火(550‑850℃/1h，AC)。本发明专利技术与现有技术相比所获得的组织致密缺陷少，组织均匀且晶粒细小，强度提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种镍钒合金靶材晶粒细化方法，属于金属材料加工大塑性变形。

技术介绍

1、在集成电路制作中，通常使用纯金作为表面导电层。然而，金与硅晶圆容易生成ausi低熔点化合物，导致金与硅界面的粘结不牢固；为此，研究人员提出了在金和硅晶圆表面增加一层粘结层的想法，常用的粘结层材料是纯镍；但是，镍层和金导电层之间会发生扩散，因此需要一层阻挡层来防止金导电层和镍粘结层之间的扩散；为了满足该要求，阻挡层需要采用熔点高的金属，还要承受较大的电流密度，高纯金属钒能满足该要求；通过在镍中添加7wt.％±0.5wt.％的钒进行熔炼，得到镍钒合金铸锭。镍钒合金无磁性，有利于磁控溅射。在电子及信息产业中，基本替代了纯镍溅射靶材。

2、随着社会的进步和半导体产业的发展电子及信息、集成电路、显示器等产业对镍钒靶材的需求量越来越大。溅射镍钒靶材要求纯度高、杂质少，化学成分均匀、无偏析，无气孔，晶粒组织均匀，晶粒尺寸大小为微米级，单个溅射靶材中要求晶粒尺寸尽量相差越小越好。虽然行业中已经有商业镍钒靶材的出现，但是现有方法制备的镍钒靶材晶粒不够细小，组织不均匀，因此急需本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于：所述镍钒合金中V的含量是7wt.％±0.5wt.％，Ni的含量是93wt.％±0.5wt.％，V的纯度高于99.9％，镍的纯度为99.99％，所述镍钒铸锭的纯度为99.9％-99.995％。

3.根据权利要求1所述的镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于：步骤(1)中镍钒铸锭的尺寸为30×30×50mm，均匀化退火温度为1200℃，保温时间为2h，随后随炉冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于：所述镍钒合金中v的含量是7wt.％±0.5wt.％，ni的含量是93wt.％±0.5wt.％，v的纯度高于99.9％，镍的纯度为99.99％，所述镍钒铸锭的纯度为99.9％-99.995％。

3.根据权利要求1所述的镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于：步骤(1)中镍钒铸锭的尺寸为30×30×50mm，均匀化退火温度为1200℃，保温时间为2h，随后随炉冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的镍钒合金靶材晶粒细化方法，其特征在于：步骤(2)中将样品的下料端切成圆球状以便于挤压，等径角挤压模具是由l形通道组成，模具内角为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖寒，王鸿燕，侯美玉，杨智强，陶阳，杨林青，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：