【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路保护设计,尤其涉及一种电机驱动电路保护装置及方法。
技术介绍
1、驱动电路是汽车领域常用的电子电路,用于控制电机和为负载电路供电。现有的驱动电路多为使用金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet,简称mos管)的全桥h桥电路设计方案。mos管是一种常用的功率开关器件,其构建的全桥h桥电路具有低开关损耗和高开关速度。此种h桥电路设计方案存在的问题是:mos管导通所需电流较大,而单片机只能驱动小电流电路,所以不能通过单片机直接驱动mos管,需采用额外的驱动芯片来驱动mos管。因而,改进后的驱动电路由驱动芯片和全桥h桥电路组成,电源经驱动芯片为全桥h桥电路供电,进而为负载电路输入电源。
2、驱动电路的保护直接关系到整个汽车控制系统是否能够安全运行,例如,在驱动芯片电源反接时如何避免驱动电路中各电路元件及负载被损坏,以及在负载电路异常时如何对驱动电路进行保护等等。
3、因此,需要设计一种方案可以对驱动电路进行有效
...【技术保护点】
1.一种电机驱动电路保护装置,其特征在于,所述装置包括:电源防反保护单元和负载异常保护单元;
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电源防反保护单元为P沟道MOS管,所述第一端口为P沟道MOS管的漏极,第二端口为P沟道MOS管的栅极,第三端口为P沟道MOS管的源极;
3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述负载异常保护单元包括:第一开关管及异常检测模块;
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述负载异常保护单元还包括:控制开关管,连接于所述第一开关管与所述异常检测模块之间,用于基于所述异常检测模块的异常检测信
...【技术特征摘要】
1.一种电机驱动电路保护装置,其特征在于,所述装置包括:电源防反保护单元和负载异常保护单元;
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电源防反保护单元为p沟道mos管,所述第一端口为p沟道mos管的漏极,第二端口为p沟道mos管的栅极,第三端口为p沟道mos管的源极;
3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于,所述负载异常保护单元包括:第一开关管及异常检测模块;
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述负载异常保护单元还包括:控制开关管,连接于所述第一开关管与所述异常检测模块之间,用于基于所述异常检测模块的异常检测信号控制所述第一开关管的通断;
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述控制开关管为npn型三极管,所述端口d为所述三极管的集电极,所述端口e为所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王劭鹏,崔海港,姚勤文,高婷,
申请(专利权)人:阿尔特汽车技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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