一种功率管退饱和保护电路和储能电源制造技术

本发明专利技术实施方式公开了一种功率管退饱和保护电路，包括单向导通模块及检测驱动模块，单向导通模块连接驱动信号源，驱动信号源输出的驱动信号与驱动功率管的信号具有相同控制时序；检测驱动模块用于在驱动信号为高电平时，响应于单向导通模块的导通压降及功率管的导通压降以接收驱动电压，并在驱动电压大于或等于预设电压时，输出保护信号；在驱动信号为低电平时，响应于低电平的驱动信号，停止输出保护信号。本发明专利技术实施方式通过在驱动信号为高电平时输出跟随功率管导通压降的驱动电压，由检测驱动模块在驱动电压大于或等于预设电压时输出保护信号，以实现功率管的过流检测和保护。能够降低功率管退饱和保护电路的功耗，提高可靠性并降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方式涉及电子，特别是涉及一种功率管退饱和保护电路和储能电源。

技术介绍

1、随着电力电子技术的快速发展,面向消费者的电源产品种类形态也逐渐丰富，同时消费者对于电源产品的功能、性能以及可靠性的要求也越来越高，因此电源产品的保护策略则需要更加全面，可靠性指标要求更加严格；而电源类产品中决定可靠性的关键器件，则为功率管，功率管主要包括绝缘栅双极晶体管（insulate-gate bipolar transistor，igbt）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor, mosfet，简称mos管）等；igbt因其电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强、开关速度高等优点，现已广泛应用在大功率电力电子变换器、600v以上的变流系统、交流电机、变频器、开关电源等领域。

2、igbt在实际运行过程中遇到最多的故障类型就是过电流故障。过电流故障指的是在igbt运行过程中，集电极电流长时间超出额定值，过电流会导致模块热量过高，无法及时排出，使igbt模块过热，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率管退饱和保护电路，其特征在于，包括：单向导通模块及检测驱动模块，所述单向导通模块的输入端用于连接驱动信号源，所述单向导通模块的输出端用于连接所述功率管，所述检测驱动模块还与所述单向导通模块的输入端连接；其中，所述驱动信号源输出的驱动信号与驱动所述功率管的信号具有相同控制时序；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述驱动电压小于所述预设电压时，所述检测驱动模块停止输出所述保护信号；所述驱动电压响应于所述功率管的导通压降和所述单向导通模块的导通压降。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述驱动信号为高电平时，所述功率管和所述单向导通模块...

【技术特征摘要】

1.一种功率管退饱和保护电路，其特征在于，包括：单向导通模块及检测驱动模块，所述单向导通模块的输入端用于连接驱动信号源，所述单向导通模块的输出端用于连接所述功率管，所述检测驱动模块还与所述单向导通模块的输入端连接；其中，所述驱动信号源输出的驱动信号与驱动所述功率管的信号具有相同控制时序；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述驱动电压小于所述预设电压时，所述检测驱动模块停止输出所述保护信号；所述驱动电压响应于所述功率管的导通压降和所述单向导通模块的导通压降。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述驱动信号为高电平时，所述功率管和所述单向导通模块用于将所述驱动信号源传输至所述检测驱动模块的电压，钳位至所述功率管的导通压降与所述单向导通模块的导通压降之和，以使所述检测驱动模块接收所述驱动电压；

4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷健华，游永亮，黎香壮，林成芳，陈智彬，
申请(专利权)人：深圳市德兰明海新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：