光检测装置的制造方法、及光检测装置制造方法及图纸

光检测装置的制造方法具备：第一工序，准备具有第一主面及第二主面的半导体晶圆；第二工序，在第一主面设置第一支撑基板；第三工序，在第一主面设置有第一支撑基板的状态下，切断半导体晶圆及第一支撑基板，在第一表面设置有支撑构件的状态下，得到受光元件；第四工序，使用配置于第二表面和电路结构体的安装面之间的多个连接构件，在第一表面设置有支撑构件的状态下，将受光元件和电路结构体电连接且物理连接；以及第五工序，从第一表面除去支撑构件。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光检测装置的制造方法、及光检测装置。

技术介绍

1、非专利文献1中记载有一种cmos图像传感器的制造方法，其具备：在光电二极管阵列晶圆上贴附支撑带的工序；将光电二极管阵列晶圆与支撑带一起切割，从光电二极管阵列芯片剥离支撑带的工序；以及将剥离了支撑带的状态的光电二极管阵列芯片安装于cmos读出电路芯片的工序。

2、现有技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1:naoya watanabe、其他4名，“fabrication of back-sideilluminated complementary metal oxide semiconductor image sensor usingcompliant bump(使用柔顺凸点制作背照式互补金属氧化物半导体图像传感器)”，japanese journal of applied physics 49(2010)，the japan society of appliedphysics，april 20，2010

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种光检测装置，其中，

2.一种光检测装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光检测装置，其中，

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的光检测装置，其中，

9.一种光检测装置的制造方法，其中，

10.根据权利要求9所述的光检测装置的制造方法，其中，

11.根据权利要求9...

【技术特征摘要】

1.一种光检测装置，其中，

2.一种光检测装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的光检测装置，其中，

4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光检测装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光检测装置，其中，

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的光检测装置，其中，

9.一种光...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村亮介，吉田侑生，塚田祥贺，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：