CMP用研磨液、CMP用研磨液套组及研磨方法技术

本发明专利技术的CMP用研磨液，其含有磨粒、添加剂A、阳离子性聚合物及水，所述添加剂A包含具有键合有羟烷基或烷氧基的乙二胺结构的化合物。一种CMP用研磨液套组，该CMP用研磨液的构成成分分为第1液和第2液而保存，所述第1液包含所述磨粒及水，所述第2液包含所述添加剂A、所述阳离子性聚合物及水。一种研磨方法，其包括使用该CMP用研磨液来研磨被研磨面的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种cmp用研磨液、cmp用研磨液套组、研磨方法等。

技术介绍

1、近年来，在电子设备的制造工序中，用于高密度化、微细化等加工技术的重要性日益增加。作为加工技术之一的cmp(chemical mechanical polishing：化学机械研磨)技术成为在电子设备的制造工序中，在浅沟隔离(shallow trench isolation：sti)的形成、预金属绝缘材料或层间绝缘材料的平坦化、插头(plug)或埋入金属配线的形成等中所需的技术。作为用于cmp的cmp用研磨液，已知有含有包含铈氧化物的磨粒的cmp用研磨液(例如，参考下述专利文献1及2)。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平10-106994号公报

5、专利文献2：日本特开平08-022970号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、作为在cmp工序中用于在规定的位置停止研磨的方法之一，有时使用挡止层(研磨停止部件。包含挡止层的部件)。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMP用研磨液，其含有磨粒、添加剂A、阳离子性聚合物及水，

2.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

3.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

4.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

5.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

6.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

7.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

8.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其中，

9.根据权利要求1所述的CMP用研磨液，其进一步含有聚醚。

10.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种cmp用研磨液，其含有磨粒、添加剂a、阳离子性聚合物及水，

2.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

3.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

4.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

5.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

6.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

7.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

8.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其中，

9.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其进一步含有聚醚。

10.根据权利要求1所述的cmp用研磨液，其ph为4.0～10....

【专利技术属性】
技术研发人员：仙波雄毅，荒川敬太，王于诚，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：