导电膜的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种导电膜的制作方法，该导电膜的制作方法包括：提供一基板，基板具有相对的两个平直侧边、一连接这些平直侧边的第一侧边及一连接这些平直侧边且与第一侧边相对的第二侧边；在基板上形成一膜层结构；以及经由基板的第一侧边拉出膜层结构而产生一导电膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
纳米碳管是一种由碳原子组成、直径为纳米等级的中空管状物，随着纳米碳管的 长度、直径及螺旋方式的变化，纳米碳管可呈现出金属性质或半导体性质，由于纳米碳管的 优异特性，因此可望在许多不同
中发挥重要作用。目前制造纳米碳管的方法主要有电弧放电法(Arc-discharge Method)、激光烧蚀 法(Laser Ablation Method)及化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)等， 以化学气相沉积法为例进行说明，其是在一近似圆形的晶圆基板上形成一层催化剂，再将 纳米碳管沉积在催化剂上，而得一纳米碳管层。请参阅图IA及图1B，图IA是一种现有技术的布满纳米碳管层的晶圆基板的示意 图，图IB是一种现有技术的纳米碳管膜的示意图。若要将晶圆基板10上的纳米碳管层12 自晶圆基板10上移出而得一纳米碳管膜14，需进行拉膜作业，其是先用激光分别沿直线A、 B进行烧蚀，使纳米碳管层12的位于a区域中的部分与纳米碳管层12的位于b区域中的部 分间形成一烧蚀间隙，以及纳米碳管层12的位于b区域中的部分与纳米碳管层12的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电膜的制作方法，其特征在于：该制作方法包括如下步骤：提供一基板，该基板具有相对的两个平直侧边、一连接该些平直侧边的第一侧边及一连接该些平直侧边且与该第一侧边相对的第二侧边；在该基板上形成一膜层结构；以及经由该基板的该第一侧边拉出该基板上的该膜层结构而产生一导电膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘今媛，黄世民，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]