【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种晶粒接合膜及其制造方法、切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、以往，半导体装置经过以下工序而制造。首先，在切割用压敏胶片上贴附半导体晶圆，在该状态下将半导体晶圆单片化为半导体芯片(切割工序)。之后，实施紫外线照射工序、拾取工序、压接工序、切割工序等。在专利文献1中公开了一种压敏胶黏合片(切割晶粒接合一体型膜)，其兼具在切割工序中固定半导体晶圆的功能和在晶粒接合工序中使半导体芯片与基板黏合的功能。在切割工序中，通过单片化半导体晶圆及黏合剂层，能够得到带黏合剂层片的芯片。
2、近年来，已普及进行电力的控制等的称为功率半导体装置的器件。功率半导体装置容易因所供给的电流而产生热，要求优异的散热性。专利文献2中公开了固化后的散热性比固化前的散热性高的导电性晶粒接合膜及带晶粒接合膜的切割带(切割晶粒接合一体型膜)。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2008-218571号公报
6、专利文献2：日本专利第6396
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1.一种晶粒接合膜的制造方法，其包括：
2.一种晶粒接合膜的制造方法，其包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶粒接合膜的制造方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的晶粒接合膜的制造方法，其中，
5.根据权利要求1或2所述的晶粒接合膜的制造方法，其中，
6.一种切割晶粒接合一体型膜的制造方法，其包括：
7.一种半导体装置的制造方法，其包括：
8.一种晶粒接合膜，其含有通过还原法而制造的含银粒子及戊二酸，
9.根据权利要求8所述的晶粒接合膜，其进一步含有热固性树脂、固化剂及弹
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶粒接合膜的制造方法，其包括：
2.一种晶粒接合膜的制造方法，其包括：
3.根据权利要求1或2所述的晶粒接合膜的制造方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的晶粒接合膜的制造方法，其中，
5.根据权利要求1或2所述的晶粒接合膜的制造方法，其中，
6.一种切割晶粒接合一体型膜的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：守谷研耶，原田雄太，谷口纮平，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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