【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及光信息处理，特别涉及一种基于多模干涉的高消光比光开关及电子设备。
技术介绍
1、光开关是光纤通信和光信息处理的关键器件之一。目前商用的光开关多采用两种方式：常规机械式电磁开关和mems(micro-electro-mechanical system，微机械)。常规机械式光开关体积大，尺寸为几厘米至几十厘米，采用电磁机械移动对输入输出光纤实施对准，使得信号光光导通或者断开。电磁开关的主要特点是消光比高，插损低，其主要缺点是电磁开关长期使用后产生金属碎屑会严重影响开关的可靠性。mems光开关商业化已有十几年的时间，采用半导体加工技术在硅材料上制作可移动或转动的反射镜，通过控制镜子的位置或角度来实现光路的变换，达到开关的目的。mems光开关尺寸小，通常在毫米量级左右，消光比高。以上两种光开关的消光比都可达到50db以上。但是这两种开关的开关速度均在毫秒量级，满足不了高速光通讯的需求。
2、光开关的研究领域有一个热点方向是光波导式的光开关，在国际知名数据库webof science上搜索optical switc...
【技术保护点】
1.一种基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述多模干涉区包括波导组件、与所述波导组件相连的光学芯片，以及与所述光学芯片相连的衬底。
3.根据权利要求2所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述波导组件包括具有突变边界的波导，和/或具有渐变边界的波导。
4.根据权利要求2所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述波导组件包括以下至少之一：
5.根据权利要求1所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述多模干涉区的边...
【技术特征摘要】
1.一种基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述多模干涉区包括波导组件、与所述波导组件相连的光学芯片，以及与所述光学芯片相连的衬底。
3.根据权利要求2所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述波导组件包括具有突变边界的波导，和/或具有渐变边界的波导。
4.根据权利要求2所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述波导组件包括以下至少之一：
5.根据权利要求1所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述多模干涉区的边界由刻蚀台阶形成，所述台阶为三个，并分别形成第一上电极、第二上电极及第三上电极，相邻两个上电极具有目标间距，所述多模干涉区包括依次连接的上限制层、波导层、下限制层以及下电极，所述第一上电极、第二上电极及第三上电极位于所述上限制层上，所述下电极布满下限制层。
6.根据权利要求5所述的基于多模干涉的高消光比光开关，其特征在于，所述第一上电极与第三上电极分别位于所述第二上电极的两侧，所述第二上电极与下电极之间的区域形成所述折射率主调控区，所述第一上电极与下电极之间的区域，以及所述第三上电极与下电极之间的区域分别形成折射率...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹锐，李世群，
申请(专利权)人：上海海纳信达数据技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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