组合物及其应用制造技术

本申请实施例提供一种组合物，包括改性粒子、pH调节剂和溶剂，改性粒子包括氧化物粒子和结合在氧化物粒子上的式(1)所示的改性基团；X选自磷、砷、锑、铋；R<subgt;1</subgt;选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基；R<subgt;2</subgt;选自H、NH<subgt;4</subgt;、Li、Na、K、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；R<subgt;3</subgt;选自取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚烷氧基、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚芳氧基。该组合物包含具有特殊结构改性基团修饰的氧化物粒子，可用于电子产品制造过程的平整化处理工艺中，改善平整化效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及电子产品制造，特别是涉及一种组合物及其应用。

技术介绍

1、在电子产品制造过程中，通常涉及对金属、硅、氧化硅、多晶硅、氮化硅等材料进行研磨的表面处理工艺，该工艺需要根据产品的结构来控制各材料的去除速率。其中，氮化硅(sin)由于硬度较高，使用传统的硅溶胶对其进行研磨处理时，硅溶胶和研磨层间的机械作用较弱，使得sin的去除速率较慢；而使用目前商用的磺酸修饰的二氧化硅，虽然对sin的去除速率相比传统硅溶胶得到提升，但研磨后基板表面的缺陷(defect)值较高。为更好地满足工艺需要，有必要提供一种新型磨料以提高sin的去除速率，并获得较低的defect值。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请实施例提供一种组合物，该组合物包括由特殊结构基团改性的氧化物粒子，该组合物可用于各种半导体基板的研磨，特别是可用于氮化硅的研磨，提高氮化硅的去除速率，并获得较低的defect值。

2、具体地，本申请实施例第一方面提供一种组合物，所述组合物包括改性粒子、ph调节剂和溶剂，所述改性粒子包括氧化物粒子和结合在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合物，其特征在于，所述组合物包括改性粒子、pH调节剂和溶剂，所述改性粒子包括氧化物粒子和结合在所述氧化物粒子上的式(1)所示的改性基团；

2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，采用X射线光电子能谱分析法测得所述改性粒子的X原子的含量大于或等于0.01原子％且小于或等于30原子％。

3.如权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，采用X射线光电子能谱分析法测得所述改性粒子的碳原子的含量大于或等于2原子％且小于或等于45原子％。

4.如权利要求1-3任一项所述的组合物，其特征在于，所述氧化物粒子为二氧化硅粒子，所述改性粒子的X原子与硅羟基的个数...

【技术特征摘要】

1.一种组合物，其特征在于，所述组合物包括改性粒子、ph调节剂和溶剂，所述改性粒子包括氧化物粒子和结合在所述氧化物粒子上的式(1)所示的改性基团；

2.如权利要求1所述的组合物，其特征在于，采用x射线光电子能谱分析法测得所述改性粒子的x原子的含量大于或等于0.01原子％且小于或等于30原子％。

3.如权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，采用x射线光电子能谱分析法测得所述改性粒子的碳原子的含量大于或等于2原子％且小于或等于45原子％。

4.如权利要求1-3任一项所述的组合物，其特征在于，所述氧化物粒子为二氧化硅粒子，所述改性粒子的x原子与硅羟基的个数之比大于或等于0.4％且小于或等于48％。

5.如权利要求1-4任一项所述的组合物，其特征在于，所述改性基团通过化学键合结合在所述氧化物粒子上。

6.如权利要求1-5任一项所述的组合物，其特征在于，采用动态光散射法测定的所述改性粒子的平均粒径为5nm-500nm。

7.如权利要求1-6任一项所述的组合物，其特征在于，所述组合物中，改性粒子的重量占比为0.1％-50％。

8.如权利要求1-7任一项所述的组合物，其特征在于，所述组合物的ph小于12。

9.如权利要求8所述的组合物，其特征在于，所述组合物的ph为1-6。

10.如权利要求1-9任一项所述的组合物，其特征在于，所述改性粒子的平均缔合度为1-10。

11.如权利要求1-10任一项所述的组合物，其特征在于，所述组合物的电位在-55至-5的范围内。

12.如权利要求1-11任一项所述的组合物，其特征在于，所述取代或未取代的烷基为取代或未取代的c1-c6烷基，所述取代或未取代的烷氧基为取代或未取代的c1-c6烷氧基；所述取代或未取代的亚烷基为取代或未取代的c1-c6亚烷基，所述取代或未取代的亚烷氧基为取代或未取代的c1-c6亚烷氧基。

13.如权利要求1-12任一项所述的组合物，其特征在于，所述ph调...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋汶杏，熊文娟，金路，张珂，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：