【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于显示，尤其涉及一种发光芯片及其制造方法、显示装置。
技术介绍
1、mip(micro led in package)芯片是采用新的led封装技术——mip技术得到的芯片。mip技术将一组或者多组rgb micro led芯片剥离衬底之后，通过巨量转移的方式转移到一块新的基底上，随后蒸镀电极，再通过固晶工艺打到目标基底上。相较于mini led芯片，mip芯片由于采用的是micro led芯片，芯片尺寸更小，因此芯片成本更低。而且mip芯片将r、g、b芯片合成为一颗芯片，因此可实现单像素一次固晶，有效减少固晶次数，而且三合一芯片的尺寸相较于单个mini led尺寸更大，固晶良率更高。因此，mip芯片在mini led显示的产品，尤其是小间距的产品上具有很高的应用潜力，受到了广泛的重视。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本公开的保护范围。
2、本公开实施例提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括：
3、透明基底...
【技术保护点】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光单元的出光面轮廓为矩形；
3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述透明基底的第一表面和第二表面的轮廓都为矩形，所述侧面包括相对设置的第一侧面和第二侧面，以及相对设置的第三侧面和第四侧面；
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角为θ，θ满足：
5.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角在30°至80°范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光单元的出光面轮廓为矩形；
3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述透明基底的第一表面和第二表面的轮廓都为矩形，所述侧面包括相对设置的第一侧面和第二侧面，以及相对设置的第三侧面和第四侧面；
4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角为θ，θ满足：
5.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述至少一个位置的侧面与所述第一表面之间的夹角在30°至80°范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述透明基底的厚度不超过100μm。
7.根据权利要求3至5中任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光单元出光面中心在所述第一表面的正投影与所述第一表面的中心在第一方向的距离大于或等于所述发光芯片在所述第一方向长度的25％；
8.根据权利要求7所述的发光芯片，其特征在于，包括位于所述透明基底所述第二表面远离所述第一表面的一侧的多个发光单元，所述多个发光单元包括所述第一发光单元；
9.根据权利要求8所述的发光芯片，其特征在于，还包括保护层，所述保护层位于所述第一发光单元远离所述透明基底的一侧；
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【专利技术属性】
技术研发人员：樊琦，孙元浩，赵加伟，卢元达，熊志军，陈泽丹，马俊杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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