半导体元件制造技术

本技术公开了一种半导体元件。半导体元件包括源极结构、栅极导电层、凹槽、栅极介质层、沟道层、绝缘层以及漏极结构。栅极导电层设置于源极结构上，其中栅极导电层由下而上依序包括第一导体层、阻障层以及第二导体层。凹槽贯穿设置于栅极导电层中。栅极介质层设置于栅极导电层朝向凹槽的侧面。沟道层设置于凹槽中，其中沟道层设置于栅极介质层远离栅极导电层的侧面以及凹槽的底部。绝缘层设置于凹槽中，漏极结构设置于绝缘层上，其中沟道层围绕绝缘层及部分漏极结构，且沟道层的端部及绝缘层的端部分别与漏极结构直接接触。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体元件。

技术介绍

1、半导体集成电路的技术随着时间不断地进步成长，每个新世代制造工艺下的产品都较前一个世代具有更小且更复杂的电路设计。在各晶片区域上的功能元件因产品革新需求而必须使其数量与密度不断地提高，当然也就使得各元件几何尺寸需越来越小。由于传统的平面式(planar)金氧半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)晶体管制造工艺难以持续微缩，故业界已提出以立体或非平面(non-planar)式晶体管元件来取代传统的平面式晶体管元件，从而缩小晶体管元件的几何尺寸或/及提高晶体管元件的操作表现。

技术实现思路

1、本技术提供了一种半导体元件，特别是一种包括垂直式通道结构的半导体元件。

2、根据本技术一实施例所提供的半导体元件，包括源极结构、栅极导电层、凹槽、栅极介质层、沟道层、绝缘层以及漏极结构。栅极导电层设置于源极结构上，其中栅极导电层由下而上依序包括第一导体层、阻障层以及第二导体层。凹槽贯穿设置于栅极导电层中。栅极介质层设置于栅极导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一导体层包括硅或金属。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述阻障层包括金属、金属氮化物、金属硅化物、金属碳化物或掺杂半导体。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二导体层包括金属、金属氮化物、金属硅化物、金属碳化物或掺杂半导体。

6.一种半导体元件，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，所述第一功函数调整层的功函数...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一导体层包括硅或金属。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述阻障层包括金属、金属氮化物、金属硅化物、金属碳化物或掺杂半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄健宾，陈笋弘，林毓纯，黄鑫，吴家伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：