【技术实现步骤摘要】
本技术涉及镀膜领域，尤其涉及一种用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置。
技术介绍
1、在太阳电池制备过程中，在硼扩散、多晶硅层沉积、sinx层沉积工序，常用一些管式镀膜设备，即腔体使用的是石英管，由于工艺气体是在管式炉一端通入，这会导致管内工艺气体不够均匀，并且由于硅片排列紧密，工艺气体不容易进入到硅片间隙的中心位置，因此在硅片间隙的中心位置和边缘位置的工艺气体更加分布不均匀，当中的工艺气体反应后，不能及时得到补充，使得硅片表面的中心与边缘膜厚不一致，进而导致中心与边缘的开路电压有差别。
技术实现思路
1、本技术的目的就在于为了解决上述问题设计了一种用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置。
2、本技术通过以下技术方案来实现上述目的：
3、用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，包括：
4、进气管；进气管安装在沉积炉的炉体内，进气管的进气口位于炉体外，进气管的进气口与工艺气体的气源出口连通；
5、输气管；输气管的进气口与进气管的出气口连通；
...
【技术保护点】
1.用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，其特征在于，喷气管包括第一锥形管、管体和第二锥形管，第一锥形管的大端开口与输气出口连通，管体的两端分别与第一锥形管的小端开口和第二锥形管的小端开口连通，第二锥形管的大端开口朝向硅片的间隙。
3.根据权利要求2所述的用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，其特征在于，第一锥形管的大端开口和第二锥形管的大端开口的内径为4cm，第一锥形管的小端开口和第二锥形管的小端开口的内径为2cm。
4.根据权利要求2所述的用于改善沉积炉...
【技术特征摘要】
1.用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，其特征在于，喷气管包括第一锥形管、管体和第二锥形管，第一锥形管的大端开口与输气出口连通，管体的两端分别与第一锥形管的小端开口和第二锥形管的小端开口连通，第二锥形管的大端开口朝向硅片的间隙。
3.根据权利要求2所述的用于改善沉积炉镀膜均匀性的气流装置，其特征在于，第一锥形管的大端开口和第二锥形管的大端开口的内径为4cm，...
【专利技术属性】
技术研发人员：何佳龙，袁正国，
申请(专利权)人：和光同程光伏科技宜宾有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。