一种拟合方法技术

本公开是关于一种拟合方法，拟合方法包括：基于集成电路仿真模型及其预设配置信息，确定目标器件的第一拟合结果；调整预设配置信息，得到目标配置信息；基于集成电路仿真模型及其目标配置信息，确定目标器件的第二拟合结果；将第二拟合结果以及第一拟合结果中与第二子温度范围对应的部分作为目标拟合结果。通过调整预设配置信息得到目标配置信息，充分考虑载流子冻析效应引起的漏极电流降低现象，使得根据目标配置信息确定的第二拟合结果能够准确描述极低温范围内漏极电流与温度的对应关系，保证了目标拟合结果能够反应目标器件的真实特性，使得目标拟合结果能够作为电路结构设计和优化的依据。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路器件仿真领域，具体涉及一种拟合方法。

技术介绍

1、近年来，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)由于具有高输入阻抗、低噪声、第功耗和抗辐射能力强等特点，已广泛应用于集成电路制造领域。为了提升设计效率和准确性，需要通过集成电路仿真(simulation program with integrated circuit emphasis，spice)模型对mosfet进行仿真和验证。

2、然而，采用相关技术模拟器件性能时，未考虑mosfet中轻掺杂漏区(lightlydoped drain，ldd)由于载流子冻析效应引起的漏极电流降低的现象，导致拟合结果无法准确反应ldd结构在极低温情况下的真实特性，使得拟合误差对电路结构的设计和优化造成干扰。

技术实现思路

1、为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种拟合方法。

2、根据本公开的一些实施例，提供了一种拟合方法，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种拟合方法，其特征在于，所述拟合方法包括：

2.根据权利要求1所述的拟合方法，其特征在于，所述预设配置信息包括预设电阻公式，所述预设电阻公式包括预设温度相关项，所述预设温度相关项为与温度相关的一次项，所述调整所述预设配置信息，包括：

3.根据权利要求2所述的拟合方法，其特征在于，所述目标温度相关项包括第一电阻温度系数和第二电阻温度系数，所述第一电阻温度系数用于表征所述目标器件产生极低温冻析效应的温度，所述第二电阻温度系数用于表征所述目标器件在极低温冻析效应下电阻增大的速率。

4.根据权利要求3所述的拟合方法，其特征在于，所述第一电阻温度系数与所述...

【技术特征摘要】

1.一种拟合方法，其特征在于，所述拟合方法包括：

2.根据权利要求1所述的拟合方法，其特征在于，所述预设配置信息包括预设电阻公式，所述预设电阻公式包括预设温度相关项，所述预设温度相关项为与温度相关的一次项，所述调整所述预设配置信息，包括：

3.根据权利要求2所述的拟合方法，其特征在于，所述目标温度相关项包括第一电阻温度系数和第二电阻温度系数，所述第一电阻温度系数用于表征所述目标器件产生极低温冻析效应的温度，所述第二电阻温度系数用于表征所述目标器件在极低温冻析效应下电阻增大的速率。

4.根据权利要求3所述的拟合方法，其特征在于，所述第一电阻温度系数与所述第二电阻温度系数通过如下所示的方法确定：

5.根据权利要求1至4任一项所述的拟合方法，其特征在于，所述基于集成电路仿真模型及其预设配置信息，确定目标器件的第一拟合结果，包括：

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，李翡，朱能勇，
申请(专利权)人：深圳华大九天科技有限公司，
类型：发明
国别省市：