【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感器，尤其是涉及一种像素单元，以及图像传感器和像素单元的制备方法。
技术介绍
1、对于图像传感器来说，其动态范围越大，可以获取更多的图像细节。从电路设计角度而言，降低像素单元中fd(floating diffusion，浮置扩散区)节点电容可以提高转换增益，进而可以提高图像传感器的动态范围。
2、目前，一些方案中通过阶梯式的poly结构，降低poly结构与fd节点连线之间的侧墙电容，进而达到提高增益的目的。但是，此类方法对于降低fd节点电容的比例并不明显，因而转换增益的提升幅度有限。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术第一个目的在于提出了一种像素单元，该像素单元可以降低fd节点的电容，提高转换增益，进而提高动态范围。
2、本专利技术第二个目的在于提出一种图像传感器。
3、本专利技术第三个目的在于提出一种像素单元的制备方法。
4、为了达到上述目的，本专利技术第一方面实施例的...
【技术保护点】
1.一种像素单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述浮置扩散区在所述衬底的上表面的投影与所述传输管栅极结构和所述复位管栅极结构均接触。
6.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述传输管栅极结构包括：
7.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述复位管栅极结构包括：
8.根据权利要求4所述的像...
【技术特征摘要】
1.一种像素单元，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述浮置扩散区在所述衬底的上表面的投影与所述传输管栅极结构和所述复位管栅极结构均接触。
6.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述传输管栅极结构包括：
7.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述复位管栅极结构包括：
8.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元还包括：
9.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元还包括：
10.根据权利要求9所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元还包括：
11.根据权利要求10所述的像素单元，其特征在于，所述像素单元还包括：
12.一种图像传感器，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的像素单元。
13.一种像素单元的制备方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的像素单元的制备方法，其特征在于，所述沟道区在衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁启超，刘坤，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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