一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构制造技术

本技术公开了一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，为由若干单胞结构组成的阵列，每个单胞结构包括上层的两个大小尺寸不同的类花瓣形椭圆锥柱一、类花瓣形椭圆锥柱二一级下层的半无限四棱柱，所述半无限四棱柱外围有四个凸台平面；阵列为二维周期排列，半无限四棱柱沿二维x方向和y方向通过凸台平面连接，经过x，y方向上周期性分布形成具有半无限基底的六边形结构。本技术通过改变微柱的高度，以及微柱上椭圆的长短轴大小，来打破系统晶格对称性，利用拓扑绝缘体的声传播特性，在宽频带下声波传输的低损耗、高鲁棒性及高灵活性，实现SAW谐振器的高性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于声表面波谐振器，具体涉及一种可提高saw谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构。

技术介绍

1、自声表面波(saw,surface acoustic wave)问世以来，各类saw器件在雷达、通信、导航等领域获得了广泛应用。saw谐振器的性能(如品质因数q、插入损耗、灵敏度等)直接决定着滤波器的各项指标，所以高性能saw谐振器的设计研究至关重要。

2、声子晶体(pnc)作为一种新型的人工结构/材料,可以实现对声波、弹性波传播和耗散的精准操控。声子晶体已经广泛地应用于隔离噪声和振动，机械滤波器和导波管中。

3、2021年zhang等将拓扑绝缘体引入saw谐振器，改变两侧idt间阵列铜柱的疏密程度实现了saw拓扑绝缘体，在saw谐振器上构造拓扑界面，实现总体透射率的提高。但是并未通过对于铜柱本身结构改变来达到晶格不对称，且得到的带隙范围较窄，使得谐振器工作带宽较小。

4、2022年wang等改变蜂窝微柱半径大小，构造两种性质不同的saw拓扑绝缘体，使saw谐振器透射率大幅提高。但是只通过改变微柱单一参数的变化，并未从晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，为由若干单胞结构组成的阵列，每个单胞结构包括上层的两个大小尺寸不同的类花瓣形椭圆锥柱一(1)、类花瓣形椭圆锥柱二(2)一级下层的半无限四棱柱(3)，所述半无限四棱柱(3)外围有四个凸台平面(4)；

2.根据权利要求1所述的一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，所述类花瓣形椭圆锥柱一(1)、类花瓣形椭圆锥柱二(2)是分别由两个相同的同心椭圆锥垂直交错得到。

3.根据权利要求1所述的一种可提高SAW谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，所述下层半无限四棱柱(3)为四...

【技术特征摘要】

1.一种可提高saw谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，为由若干单胞结构组成的阵列，每个单胞结构包括上层的两个大小尺寸不同的类花瓣形椭圆锥柱一(1)、类花瓣形椭圆锥柱二(2)一级下层的半无限四棱柱(3)，所述半无限四棱柱(3)外围有四个凸台平面(4)；

2.根据权利要求1所述的一种可提高saw谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，所述类花瓣形椭圆锥柱一(1)、类花瓣形椭圆锥柱二(2)是分别由两个相同的同心椭圆锥垂直交错得到。

3.根据权利要求1所述的一种可提高saw谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，所述下层半无限四棱柱(3)为四边等宽的菱形面拉伸而成。

4.根据权利要求1所述的一种可提高saw谐振器性能的类花瓣形拓扑绝缘体结构，其特征在于，所述类花瓣形椭圆锥柱一(1)、类花瓣形椭圆锥柱二(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丽霞，柴晨阳，同志学，张会强，
申请(专利权)人：西安建筑科技大学，
类型：新型
国别省市：