提供一种半导体封装件，该半导体封装件包括具有信号区域和虚设区域的第一裸片，以及在第一裸片上的第二裸片。第一裸片包括在虚设区域上沿第一方向布置的第一虚设图案、在虚设区域上并且在第一虚设图案之间的第二虚设图案、在第一虚设图案和第二虚设图案上的第一介电层、以及延伸穿过第一介电层并且结合到第一虚设图案的第一垫。第二裸片包括虚设区域上的第二垫和虚设区域上的第三垫。在第一和第二裸片之间的接口上，第一垫与第二垫接触。第一介电层位于第二虚设图案和第三垫之间。第一虚设图案连接到第一裸片的接地电路或电源电路。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括贯通电极的多芯片半导体封装件。
技术介绍
1、电子工业的发展可以提供具有诸如重量轻、尺寸紧凑、高速和高性能等特性的低价电子产品。提供了一种半导体封装件以实现可以在电子产品中使用的集成电路芯片。已经进行了各种研究以增强半导体封装件的性能。特别地，贯穿硅过孔(tsv，或“硅过孔”)技术已经被确定为用于促进使用布线接合技术的半导体封装件中所需的性能的选项。
2、堆叠型多芯片半导体封装件使用电路层、贯通电极、焊料凸块和/或间隙填充物将芯片堆叠在彼此上。堆叠芯片数量的增大会引起电路芯片和芯片之间的间隙填充物的量的增大，并且还会引起芯片的劣化。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例可以提供一种具有改善的热辐射的半导体封装件。
2、本专利技术构思的一些实施例可以提供一种具有改善的结构稳定性的半导体封装件。
3、本专利技术构思的一些实施例可以提供一种具有改善的电特性和操作稳定性的半导体封装件。
>4、根据本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，当在第一方向上观看时，所述多个第一虚设图案的宽度大于所述多个第二虚设图案的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一裸片还包括：多个第四垫，延伸穿过第一介电层并且结合到所述多个第二虚设图案，
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一裸片还包括：多个第四垫，在所述多个第二虚设图案上，
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，半导体封装件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，当在第一方向上观看时，所述多个第一虚设图案的宽度大于所述多个第二虚设图案的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一裸片还包括：多个第四垫，延伸穿过第一介电层并且结合到所述多个第二虚设图案，
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一裸片还包括：多个第四垫，在所述多个第二虚设图案上，
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，当在第一方向上观看时，相邻的所述多个第一垫之间的间距在3微米至30微米的范围内。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在第一裸片中，所述多个第一虚设图案中的两个第一虚设图案和所述多个第二虚设图案中的一个第二虚设图案在第一方向上交替地布置。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件，
10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第二裸片还包括在半导体封装件的平面图中围绕所述多个第二垫和所述多个第三垫的第二介电层，并且
11.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，
13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，
14.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，
15.根据权利要求11所述的半导体封装件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金暋起，姜来荣，金志勳，薛珍暻，李赫宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。