一种半导体器件、制备方法及电子设备技术

本申请实施例公开了一种半导体器件、制备方法及电子设备，通过在半导体器件中设置至少一个介质槽，并在每一个介质槽中填充绝缘材料。由此设置，通过介质槽内引入的悬空键及缺陷等，对介质槽附近的载流子进行复合，从而在介质槽中的绝缘材料与第二半导体层的界面一定区域内形成局域载流子寿命控制区，从而通过界面缺陷的引入使器件实现局域载流子寿命控制，降低器件的关断时间，以及优化器件的导通电阻与开关时间的折中关系。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及到一种半导体器件、制备方法及电子设备。

技术介绍

1、半导体器件在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用。双极半导体器件普遍存在关断过慢的问题。例如，p型-本征-n型(positive-intrinsic-negative，pin)二极管，其导通时器件内部存在大量的存储电荷，形成电导调制，相比于单极半导体器件，可实现非常低的导通电阻，但是在关断的时候，需要把存储电荷移除才能使得器件承担耐压，移除存储电荷的过程很慢，因此限制了pin二极管的切换速度的提升。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种半导体器件、制备方法及电子设备，用以降低半导体器件的关断时间。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：依次层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层。通过使该半导体器件还包括：至少一个介质槽和填充于每一个介质槽中的绝缘材料。并使至少一个介质槽至少由第二半导体层的目标表面延伸至第二半导体层中，第二半导体层的目标表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层；

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述介质槽还贯穿所述第一半导体层。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述介质槽在所述第三半导体层的正投影的形状包括：环形、圆形、条形以及多边形中的一种或组合；和/或，

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘材料包括：氧化物、氮化物、氮氧化物、多晶硅、空气及旋涂式玻璃材料中的一种或组合。

5.如权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层；

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述介质槽还贯穿所述第一半导体层。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述介质槽在所述第三半导体层的正投影的形状包括：环形、圆形、条形以及多边形中的一种或组合；和/或，

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘材料包括：氧化物、氮化物、氮氧化物、多晶硅、空气及旋涂式玻璃材料中的一种或组合。

5.如权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为p型-本征-n型(positive-intrinsic-negative，pin)二极管；

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括：设置于所述p型掺杂半导体层背离所述本征半导体层一侧的阳极和覆盖于所述n型掺杂半导体层背离所述本征半导体层一侧的阴极；

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构由所述p型掺杂半导体层背离所述n型掺杂半导体层一侧的表面延伸至所述n型掺杂半导体层中，且所述深沟槽隔离结构在所述阴极的正投影围绕所述阳极在所述阴极的正投影；或者，

8.如权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为绝缘栅双极型晶体管，所述第一半导体层为所述绝缘栅双极型晶体管的p型衬底、所述第二半导体层为所述绝缘栅双极型晶体管的n型缓冲层、所述第三半导体层为所述绝缘栅双极型晶体管的n型漂移层。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：多个第一p型掺杂区、多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴喜鹏，吴磊，陈宏素，赖春兰，程丹妮，温志杰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：