【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装以及功率模块，具体涉及一种基于键合工艺的基板布局结构。
技术介绍
1、随着国内外高集成、小型化、高性能功率模块的快速发展，功率模块的封装技术对键合工艺的要求越来越高，而良好的键合效果离不开键合工艺。键合线是目前市场主流的引线连接材料之一，可以通过联结芯片电极与引线框架来引出端子，借由通过键合线可以传递电信号、辅助散发芯片内因工作产生的热量。
2、超声键合系统一般由超声波发生器、压电换能器、安装套环、振幅杆劈刀组成。超声键合一般在常温下进行，无需添加任何焊料和辅助剂。超声键合是在超声功率的振动与压力共同作用下，楔形劈刀将金属引线与焊盘实现紧密可靠的连接。工作原理是楔形劈刀产生超声频率的能量的同时也要对被焊器件施加压力，金属引线在摩擦力的作用下产生了塑性流动，在焊接区域的温度升高和高振动共同作用下造成了金属晶格上原子互相靠近并接近到纳米级的距离，从而逐渐形成了原子间的电子桥即实现了“金属键合”。
3、引线键合机需要在具有一定边界约束的功率模块外壳里完成具有一定高度差的引线键合。不仅要考虑键合功...
【技术保护点】
1.一种基于键合工艺的基板布局结构，采用绝缘金属基板代替传统DBC基板，并在所述绝缘金属基板上进行三相逆变电路布局，其特征在于，所述绝缘金属基板包括下铜层、树脂绝缘层和上铜层；所述三相逆变电路设置于所述上铜层上，并在所述上铜层上设置过渡块，利用多根键合线并联进行所述三相逆变电路中芯片与芯片、芯片与铜层之间的电气连接。
2.根据权利要求1所述的基于键合工艺的基板布局结构，其特征在于，所述三相逆变电路包括上桥臂结构和下桥臂结构，其中，所述上桥臂结构位于同一块绝缘金属基板的上铜层，下桥臂结构位于不同绝缘金属基板的上铜层。
3.根据权利要求2所述的基于...
【技术特征摘要】
1.一种基于键合工艺的基板布局结构，采用绝缘金属基板代替传统dbc基板，并在所述绝缘金属基板上进行三相逆变电路布局，其特征在于，所述绝缘金属基板包括下铜层、树脂绝缘层和上铜层；所述三相逆变电路设置于所述上铜层上，并在所述上铜层上设置过渡块，利用多根键合线并联进行所述三相逆变电路中芯片与芯片、芯片与铜层之间的电气连接。
2.根据权利要求1所述的基于键合工艺的基板布局结构，其特征在于，所述三相逆变电路包括上桥臂结构和下桥臂结构，其中，所述上桥臂结构位于同一块绝缘金属基板的上铜层，下桥臂结构位于不同绝缘金属基板的上铜层。
3.根据权利要求2所述的基于键合工艺的基板布局结构，其特征在于，所述下桥臂结构中，u相下桥臂所在上铜层靠近u相上桥臂所在上铜层，v相下桥臂所在上铜层靠近v相上桥臂所在上铜层，w相下桥臂所在上铜层靠近w相上桥臂所在上铜层。
4.根据权利要求2所述的基于键合工艺的基板布局结构，其特征在于，所述上桥臂结构和下桥臂结构中均包括多个开关单元，其中，不同相上桥臂结构中的开关单元位于同一个绝缘金属基板的上铜层；不同相下桥臂结构中的开关单元位于不同绝缘金属基板的上铜层。
【专利技术属性】
技术研发人员：明磊，王科，王阳，赖耀康，李飞，刘杰，李宁博，谷自航，辛振，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：
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