一种无片外电容快速瞬态响应LDO电路制造技术

本技术公开了一种无片外电容快速瞬态响应LDO电路，所述电路包括误差放大器、缓冲级电路、瞬态增强电路、功率管、反馈网络以及用Miller补偿保证系统环路稳定性。为进一步增强电路的瞬态响应，利用输出电压尖峰检测原理，改良设计了一款瞬态增强电路，通过对LDO电路输出电压变化的检测，及时响应到功率管栅极使其快速充放电来调整输出电流，从而降低输出电压的俯冲、过冲电压。本技术具有响应速度快、俯冲和过冲电压低、稳定性高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种无片外电容快速瞬态响应ldo电路。

技术介绍

1、ldo的瞬态响应性能主要体现在系统的响应时间和输出电压产生的波动幅度大小上，由于ldo的负载多样化，其输出端负载电流将随着负载的变化而发生突变，这往往在极短的时间完成，需要ldo能够对负载电流的突变快速做出调整，以保证系统稳定工作。ldo的瞬态响应性能与环路带宽、增益、功率管栅极的压摆率有关，增加环路带宽能够减小系统响应时间，但是这会影响系统稳定性，且静态功耗也会增加。增大功率管栅极压摆率能够提高ldo响应速度，但是大尺寸的功率管在其栅极会带来较大的寄生电容，这又会限制ldo的响应时间。如何在不影响系统其他性能的情况下提升ldo的瞬态响应，也处在当前研究热点之中。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种无片外电容快速瞬态响应ldo电路，在没有片外电容的情况下优化瞬态响应，降低俯冲、过冲电压，提高响应速度，保证系统的稳定性。电路包括误差放大器、缓冲级电路、瞬态增强电路、功率管、反馈网络，以及采用miller补偿保证系本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无片外电容快速瞬态响应LDO电路，包括瞬态增强电路和PMOS功率管MP，其特征在于，所述瞬态增强电路包括：PMOS管M9、M10、M11、M12、M13和M14，NMOS管M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21和M22；M9～M14的源极以及PMOS功率管MP的源极均连接到电源电压VDD，M15～M22的源极均连接到地端GND；M9的栅极与偏置电压Vb1连接；M18的栅极、M19的栅极、M9的漏极以及M18的漏极之间相互连接；M10的栅极、M11的栅极、M10的漏极、M19的漏极以及电容C1的第二端子之间相互连接；M11的漏极、M15的漏极、M16的栅极以及电阻R...

【技术特征摘要】

1.一种无片外电容快速瞬态响应ldo电路，包括瞬态增强电路和pmos功率管mp，其特征在于，所述瞬态增强电路包括：pmos管m9、m10、m11、m12、m13和m14，nmos管m15、m16、m17、m18、m19、m20、m21和m22；m9～m14的源极以及pmos功率管mp的源极均连接到电源电压vdd，m15～m22的源极均连接到地端gnd；m9的栅极与偏置电压vb1连接；m18的栅极、m19的栅极、m9的漏极以及m18的漏极之间相互连接；m10的栅极、m11的栅极、m10的漏极、m19的漏极以及电容c1的第二端子之间相互连接；m11的漏极、m15的漏极、m16的栅极以...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡超波，邱雨，罗勇德，宋树祥，范晨影，覃玉鑫，王康林，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：新型
国别省市：