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一种3D超结构增强吸透一体超材料制造技术

技术编号:43555240 阅读:37 留言:0更新日期:2024-12-06 17:30
本发明专利技术公开了一种3D超结构增强吸透一体超材料,属于微波技术领域,该超材料包括由上至下依次设置的3D超结构、介质结构层Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ衬底、介质结构层Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ衬底、介质结构层Ⅲ、无损带通型超表面、无损带通型超表面衬底;所述电磁损耗超表面Ⅰ由若干导电单元一构成,导电单元一包括导电闵可夫斯基环和位于导电闵可夫斯基环四角上的四个导电内方形环。本发明专利技术提供的3D超结构增强吸透一体超材料可以解决传统吸波涂料吸波带宽窄,电路模拟吸波体不具备透波带,不兼容天线工作的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波,具体涉及一种3d超结构增强吸透一体超材料。


技术介绍

1、电磁超材料是一种新型人工电磁材料,具有自然界中传统材料所不具备的电磁特性。这些特性是通过在材料的微观结构中设计特定的几何形状来实现的,这些结构的尺寸通常小于电磁波的波长,从而在宏观上赋予材料特殊的电磁响应。

2、吸透一体超材料是电磁超材料的一个重要分支,结合了频率选择表面和电路模拟吸波体的特点。频率选择表面能够在特定的频率范围内实现电磁波的高效传输,在带外则表现出反射特性,电路模拟吸波体则在带内对电磁波进行吸收。吸透一体超材料能够在工作频带内实现电磁波的高透射率,同时在带外有效吸收电磁波,这种特性使其在降低雷达截面积、增强电磁兼容性等应用中具有重要价值。

3、传统的吸透一体超材料设计往往只包含一个传输带和一个吸收带,限制了其应用范围,为扩大应用场景,研究者开发了具有两个吸收带和一个位于其间的传输带的新型吸透一体超材料,这种设计不仅提高了材料的功能性,还为电磁波的调控提供了更多的灵活性。然而,现有吸透一体超材料仍面临着一些挑战,例如吸波带宽较窄、透波带插损过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种3D超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,包括由上至下依次设置的3D超结构、介质结构层Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ、电磁损耗超表面Ⅰ衬底、介质结构层Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ、电磁损耗超表面Ⅱ衬底、介质结构层Ⅲ、无损带通型超表面、无损带通型超表面衬底。

2.根据权利要求1所述的一种3D超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,所述电磁损耗超表面Ⅰ由若干导电单元一构成,导电单元一包括导电闵可夫斯基环和位于导电闵可夫斯基环四角上的导电内方形环;

3.根据权利要求1所述的一种3D超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,所述3D超结构的材质为PLA、ABS、PET中的一种,其相对介电...

【技术特征摘要】

1.一种3d超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,包括由上至下依次设置的3d超结构、介质结构层ⅰ、电磁损耗超表面ⅰ、电磁损耗超表面ⅰ衬底、介质结构层ⅱ、电磁损耗超表面ⅱ、电磁损耗超表面ⅱ衬底、介质结构层ⅲ、无损带通型超表面、无损带通型超表面衬底。

2.根据权利要求1所述的一种3d超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,所述电磁损耗超表面ⅰ由若干导电单元一构成,导电单元一包括导电闵可夫斯基环和位于导电闵可夫斯基环四角上的导电内方形环;

3.根据权利要求1所述的一种3d超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,所述3d超结构的材质为pla、abs、pet中的一种,其相对介电常数为2-3,厚度为1.4-1.6mm;

4.根据权利要求1所述的一种3d超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,电磁损耗超表面ⅰ衬底、电磁损耗超表面ⅱ衬底、无损带通型超表面衬底的材质均为pi膜、pen膜、fr4板、f4b板中的一种,其相对介电常数在2-3.6,其厚度为0.1-0.6mm。

5.根据权利要求1所述的一种3d超结构增强吸透一体超材料,其特征在于,所述电磁损耗超表面ⅰ的结构单元周期为18-22mm,导电闵可夫斯基环的外环长度为14-16mm,其线宽度为0.2-0.6mm,导电内方形环的外环长度为...

【专利技术属性】
技术研发人员:姜超刘妍琼麻晢乂培
申请(专利权)人:中南大学
类型:发明
国别省市:

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