【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种半导体装置与其制造方法。
技术介绍
1、存储器装置可包含存储器单元区域与周边区域。存储器单元区域可包含被绝缘结构隔开的多个主动区。在存储器单元区域中的主动区须被保护在特定位置，以保证存储器装置可正常工作。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施方式提供一种制造半导体装置的方法，包含提供半导体基板，在半导体基板上形成硬遮罩，以硬遮罩为遮罩蚀刻半导体基板，以形成第一突出区与多个第二突出区，其中第一突出区与第二突出区中最接近的一者通过第一沟槽隔开，且第二突出区中的相邻两者通过第二沟槽隔开。沿着第一沟槽与第二沟槽形成第一介电层。在第一沟槽中形成第二介电层，其中第二介电层沿着第一沟槽中的第一介电层，回蚀第二介电层以形成阻挡结构，在回蚀第二介电层之后，以填充材料填充第一沟槽，其中填充材料覆盖阻挡结构。
2、在一些实施方式中，方法还包含在第二介电层上形成牺牲层，且牺牲层填充第一沟槽，对第二介电层与牺牲层执行平坦化工艺，使得第二介电层的上表面与牺牲层的上表面与第一介电层的上表面齐平...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该填充材料与该第一介电层由第一材料制成，该第二介电层由第二材料制成，该第一材料的介电常数比该第二材料的介电常数还低。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该牺牲层由第三材料制成，该第三材料与该第二材料不同。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中以该填充材料填充该第一沟槽包含：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该阻挡结构在退火该填充...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该填充材料与该第一介电层由第一材料制成，该第二介电层由第二材料制成，该第一材料的介电常数比该第二材料的介电常数还低。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该牺牲层由第三材料制成，该第三材料与该第二材料不同。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中以该填充材料填充该第一沟槽包含：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中该阻挡结构在退火该填充材料层的期间扩张，该填充材料层在退火该填充材料层的期间收缩。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中执行该阻挡结构的回蚀工艺，使得该阻挡结构的顶端低于该硬遮罩的底部且高于所述多个第二突出区的多个上表面。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一沟槽比该第二沟槽还宽。
10.一种制造半导体装置的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈琮诚，庄英政，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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