【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通讯和雷达，具体为一种360度太赫兹移相器、相控阵雷达及通讯装置。
技术介绍
1、太赫兹移相器是太赫兹相控阵雷达的核心元器件，其移相精度制约着雷达系统的性能，太赫兹移相器的插损限制雷达系统的灵敏度和探测距离，且移相精度直接决定着雷达系统的波束指向误差和旁瓣抑制比等关键性能指标。
2、cmos（complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体）太赫兹移相器的移相精度提升，主要受限于有源cmos器件的寄生参数，太赫兹移相器在移相状态切换时，cmos器件寄生参数也会随着变化，负载效应的影响让移相值偏离理想移相值，恶化移相精度。减小寄生参数可以一定程度上在亚太赫兹频段提高bicmos移相器移相精度，最新研究成果能达到五位的移相精度。但cmos工艺相比于bicmos（双极-互补金属氧化物半导体，bipolar-cmos）工艺，具有较小的跨导电流比，cmos太赫兹高精度移相器在兼顾插损性能时，不同移相状态寄生参数变化范围较大，移相精度对于寄生效应更加敏感，因而移相精度提升...
【技术保护点】
1.一种360度太赫兹移相器，其特征在于，包括90度移相器（1），所述90度移相器（1）输出端级联第一90度移相耦合单元（2），180度移相耦合单元（3）和第二90度移相耦合单元（4）；
2.根据权利要求1所述的一种360度太赫兹移相器，其特征在于，所述第一90度移相耦合单元（2）和第二90度移相耦合单元（4）均包括90度耦合器以及与其连接的单刀双掷开关SPDT。
3.根据权利要求2所述的一种360度太赫兹移相器，其特征在于，所述第一90度移相耦合单元（2）包括第一90度耦合器和第一单刀双掷开关SPDT；
4.根据权利要求1所述的一...
【技术特征摘要】
1.一种360度太赫兹移相器，其特征在于，包括90度移相器（1），所述90度移相器（1）输出端级联第一90度移相耦合单元（2），180度移相耦合单元（3）和第二90度移相耦合单元（4）；
2.根据权利要求1所述的一种360度太赫兹移相器，其特征在于，所述第一90度移相耦合单元（2）和第二90度移相耦合单元（4）均包括90度耦合器以及与其连接的单刀双掷开关spdt。
3.根据权利要求2所述的一种360度太赫兹移相器，其特征在于，所述第一90度移相耦合单元（2）包括第一90度耦合器和第一单刀双掷开关spdt；
4.根据权利要求1所述的一种360度太赫兹移相器，其特征在于，所述90度移相器（1）与第一90度移相耦合单元（2）之间设置有源放大器，或/和第二90度移相耦合单元（4）的输出端连接有源放大器。
5.根据权利要求1所述的一种360度太赫兹移相器，其特征在于，所述通路选择开关包括多...
【专利技术属性】
技术研发人员：权星，陈传羽，高晓强，吴炎辉，陈卓，詹劲松，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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