【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及介电薄膜，尤其涉及一种聚醚酰亚胺基介电薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、薄膜电容器是一种重要的基础电子元件，相比陶瓷电容器、铝/钽电容器、薄膜电容器具有绝缘电阻高，耐压高，介质损耗小，频率特性优异，具有自愈性等优良特性。目前，薄膜电容器中最常用的薄膜电介质为bopp，其耐温性在105℃左右，相对介电常数只有2-3，因此即使在高场强下其储能密度也只有不到2j/cm3，这意味着满足一定的储能要求需要很大的体积。
2、聚醚酰亚胺(pei)是一种略带琥珀色的透明或半透明聚合物，可以在150℃下长期使用，热稳定性好，耐水解，尺寸稳定性好，成型收缩率小，即使在高温下也能保持优良的机械性能，且在宽广的温度和频率范围内具有优良的电性能，是最具潜力的耐高温电介质薄膜聚合物之一。
3、但是，单纯的聚醚酰亚胺材料的相对介电常数较低，一般通过在聚醚酰亚胺中添加高介电常数的纳米陶瓷填料来提升复合材料的介电常数。现有技术中使用纳米陶瓷颗粒与聚合物基体复合时，一般需要较大的添加量才能使复合材料具有较高的介电常数及较好的高温储能性...
【技术保护点】
1.一种聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，包括聚醚酰亚胺基体和分散在聚醚酰亚胺基体内的改性介电填料；所述改性介电填料由羟基化介电填料和包覆于羟基化介电填料外的双端烯基聚苯醚包覆层构成，羟基化介电填料与双端烯基聚苯醚包覆层之间通过巯基硅烷偶联剂构成共价连接。
2.根据权利要求1所述的聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，所述羟基化介电填料由质量比为1:0.05~0.19的BaTiO3和BN纳米片经羟基化形成。
3.根据权利要求1所述的聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，所述双端烯基聚苯醚的数均分子量为1000~5000Da。
4.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，包括聚醚酰亚胺基体和分散在聚醚酰亚胺基体内的改性介电填料；所述改性介电填料由羟基化介电填料和包覆于羟基化介电填料外的双端烯基聚苯醚包覆层构成，羟基化介电填料与双端烯基聚苯醚包覆层之间通过巯基硅烷偶联剂构成共价连接。
2.根据权利要求1所述的聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，所述羟基化介电填料由质量比为1:0.05~0.19的batio3和bn纳米片经羟基化形成。
3.根据权利要求1所述的聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，所述双端烯基聚苯醚的数均分子量为1000~5000da。
4.根据权利要求2所述的聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，所述batio3的粒径为30~500nm。
5.根据权利要求1所述的聚醚酰亚胺基介电薄膜，其特征在于，所述聚醚酰亚胺基体与改性介电填料的质量比为100:5~55。
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