【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅酸盐质文物保护领域，具体涉及一种一维纳米二氧化硅及其制备方法与在原位保护硅酸盐质文物中的应用。
技术介绍
1、硅酸盐质文化遗产结构疏松多孔、抗风化能力弱，长期暴露在自然环境下，容易遭受各种因素的破坏，包括：自然环境的破坏，如光照、风化、雨雪冻融、霉菌、可溶盐结晶、地震等自然灾害的破坏；人为因素，如涂抹、刻画、煤烟酸雨等。这些破坏使得我国大量硅酸盐质文物受损严重，利用保护材料实现文物的保护保护刻不容缓。
2、目前，硅酸盐质文物中保护材料按组分可分为两类，即无机材料、有机材料。常见的无机材料有石灰水、氢氧化钡、水玻璃类硅酸盐以及二氧化硅等，无机材料和石质文物相似相容性和耐久性好，但是受限于渗透性差，易造成表面孔隙堵塞，生成的可溶盐甚至会直接加剧石质文物的盐害和风化。常用的有机保护材料有环氧树脂、丙烯酸树脂和有机硅树脂等。相比于无机保护材料，环氧树脂、丙烯酸树脂等具有一定渗透性，但是其耐候性、疏水性较差，长时间日照后容易老化变色，影响文物形貌。有机硅材料主要包括小分子的有机硅化合物，例如正硅酸乙酯和甲基甲氧基硅氧烷...
【技术保护点】
1.一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括：将二氧化硅生长模板与阳离子表面活性剂混合得到正电性二氧化硅生长模板分散液，然后将所述正电性二氧化硅生长模板分散液与硅源混合进行预反应，得到所述一维纳米二氧化硅的分散液；其中，控制0＜预反应时间＜2h，优选为0.5～1.5h，更优选为1h。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅生长模板选自纤维素纳米晶CNCs、碳纳米管CNT或者壳聚糖中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述所述阳离子表面活性剂选自十六烷基三甲基溴化铵CTAB、十六烷基三甲基氯化铵...
【技术特征摘要】
1.一种一维纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括：将二氧化硅生长模板与阳离子表面活性剂混合得到正电性二氧化硅生长模板分散液，然后将所述正电性二氧化硅生长模板分散液与硅源混合进行预反应，得到所述一维纳米二氧化硅的分散液；其中，控制0＜预反应时间＜2h，优选为0.5～1.5h，更优选为1h。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅生长模板选自纤维素纳米晶cncs、碳纳米管cnt或者壳聚糖中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述所述阳离子表面活性剂选自十六烷基三甲基溴化铵ctab、十六烷基三甲基氯化铵、十二烷基苯磺酸钠或者十二烷基二甲基苄基氯化铵中的至少一种。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，控制所述正电性二氧化硅生长模板分散液中，二氧化硅生长模板与阳离子表面活性剂的质量比为1：7～5：3，优选为3:5。
5.根据权利要求1-4...
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