一种制备Bi2O2S纳米材料的低热固相化学方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种制备Bi2O2S纳米材料的低热固相化学方法。通过五水合硝酸铋、氢氧化钠、不同硫源反应物在固相研磨过程中发生化学反应，再进一步通过水浴加热，经洗涤干燥后最终得到Bi2O2S纳米材料。该制备方法通过筛选实验条件找到了最佳反应物及反应条件，且采用操作较简单、成本较低的固相化学法进行合成，在整个制备过程中，不使用任何溶剂、操作简单、环境友好，对合成三元金属‑氧‑硫族化合物具有一定的技术启示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备三元金属-氧-硫族化合物bi2o2s纳米材料的低热固相化学方法。

技术介绍

1、铋基半导体作为一类新型的光催化材料，与传统的光催化材料相比，具有种类繁多、无毒无害、物理化学性质稳定等优点。此外，大部分铋基化合物为间接半导体材料，bi的6s轨道和o的2p轨道会有部分重叠，从而形成半导体的价带顶，使其带隙减小，对可见光的利用率较高，在光催化领域具有广阔的应用前景。其中，biox、bioco3、bi2wo6等具有特殊[bi2o2]2+结构的二维层状纳米材料，被称作sillén型化合物，此结构类型可高效促进光生电子与载流子分离。

2、bi2o2x (x=s、se、te) 也是一种三元金属-氧-硫族sillén型化合物，与卤氧化铋具有类似的层状晶体结构，一列x2-层通过静电作用将两层[bi2o2]2+分开，有利于载流子的分离，并且电子迁移率高、环境稳定性好，常用于太阳能电池和光电探测器的研究。近期研究表明，s的氧化性大于se与te，且s2-离子的存在可适当的减小带隙，因而bi2o2s的带隙约为1.5 ev，促使bi2o2s纳米材料具本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.本专利技术公开了一种制备Bi2O2S纳米材料的低热固相化学方法，其包括以下步骤：将五水合硝酸铋、氢氧化钠与硫源按一定化学比例放入研钵中进行研磨反应，随后将样品放入锥形瓶中，经水浴锅进一步反应，最终制得Bi2O2S纳米材料。

2.按照权利要求1所述的制备Bi2O2S纳米材料的低热固相化学方法，其特征在于：所述的硫源为沉降硫、升华硫、硫脲、硫代乙酰胺。

3.按照权利要求1所述的制备Bi2O2S纳米材料的低热固相化学方法，其特征在于：五水合硝酸铋与沉降硫、升华硫的Bi/S的摩尔比为4:3；五水合硝酸铋与硫脲、硫代乙酰胺的Bi/S的摩尔比为2:1。

4.按...

【技术特征摘要】

1.本发明公开了一种制备bi2o2s纳米材料的低热固相化学方法，其包括以下步骤：将五水合硝酸铋、氢氧化钠与硫源按一定化学比例放入研钵中进行研磨反应，随后将样品放入锥形瓶中，经水浴锅进一步反应，最终制得bi2o2s纳米材料。

2.按照权利要求1所述的制备bi2o2s纳米材料的低热固相化学方法，其特征在于：所述的硫源为沉降硫、升华硫、硫脲、硫代乙酰...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晶，尹随心，曹亚丽，
申请(专利权)人：新疆大学，
类型：发明
国别省市：