【技术实现步骤摘要】
本技术的至少一种实施例涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、现有的太阳能电池中，正电极及负电极可均设置于电池片的背光面，在太阳能电池的受光面被太阳光照射时，太阳能电池的基底产生空穴-电子对。在p-n结内电场的作用下，光生空穴流向p区，光生电子流向n区，以在接通电路时形成电流。半导体基底可以为n型掺杂也可以为p型掺杂，与半导体基底掺杂类型相同的载流子收集区为多子区，即背表面场；与半导体基底掺杂类型相反的载流子收集区为少子区，即发射极。在电池的制造过程中，硅片边缘区域往往存在一定程度的缺陷，如不利于边缘载流子收集，这些缺陷会对电池性能产生不利影响。
技术实现思路
1、相较于传统双面太阳电池，太阳能电池的发射极和背表面场若均在电池背面间隔排列，发射极和背表面场的交错分布影响了载流子的收集，需要对发射极和背表面场进行绝缘隔离，尤其在半导体基底边缘，还要考虑绕镀对载流子收集的影响，如果将半导体基底边缘设置为发射极，即与半导体基底的掺杂类型相反，需要引入复杂的工艺如去绕镀等，来形...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体部（15）的导电类型为N型，所述第二掺杂半导体部（16）的导电类型为P型。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体部（15）包括掺杂多晶硅层；第二掺杂半导体部（16）包括掺杂多晶硅、掺杂非晶硅、掺杂微晶硅、掺杂纳米晶硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一面中，沿所述第一方向位于所述多子区（23）和所述少子区（24）之间的区域为间隔区（22）；
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体部（15）的导电类型为n型，所述第二掺杂半导体部（16）的导电类型为p型。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体部（15）包括掺杂多晶硅层；第二掺杂半导体部（16）包括掺杂多晶硅、掺杂非晶硅、掺杂微晶硅、掺杂纳米晶硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第一面中，沿所述第一方向位于所述多子区（23）和所述少子区（24）之间的区域为间隔区（22）；
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体部（15）覆盖有第一透明导电层（13），第二掺杂半导体部（16）上覆盖有第二透明导电层（19），所述第一透明导电层（13）与第二透明导电层（19）在所述间隔区（22）绝缘断开。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层（13）还延伸覆盖至少部分半导体基...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪根顺，吴华，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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