微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

技术编号:43538580 阅读:12 留言:0更新日期:2024-12-03 12:20
本发明专利技术公开了一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置,涉及显示技术领域。微发光二极管显示面板的制备方法,包括:提供衬底,在衬底上形成阵列排布的像素单元;每个像素单元包括至少三个微发光二极管结构;在远离衬底的方向上,每个微发光二极管结构包括依次设置的应力缓冲层、发光堆叠结构以及电极层;其中,应力缓冲层为纳米多孔结构;将衬底的电极层与驱动背板键合,以使每个微发光二极管结构的电极层和与微发光二极管结构相对应的驱动电路连接;至少去除衬底,以暴露应力缓冲层;将颜色转换量子点材料嵌入部分微发光二极管结构的应力缓冲层中。本发明专利技术所制得的微发光二极管显示面板良率高,且制备方法简单,便于大规模量产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示,特别涉及一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置


技术介绍

1、micro-led(micro light emitting diode,微型发光二极管)显示具有自发光、宽色域、高稳定性以及可实现高亮度、透明显示等诸多优点,因而在ar(augmented reality,增强现实)等领域有着广泛的应用。

2、由于市场的应用需求,micro-led全彩化成为发展趋势。目前,主流的全彩化方案包括x-cube(合光棱镜)、qd(quantum dot,量子点),以及堆叠方案,x-cube因良率问题影响其量产,qd在稳定性方面存在一些问题,目前仍处于实验阶段,堆叠方案因其制造工艺复杂、成本高而难以大规模应用。因此,亟需一种高良率且可量产的micro-led单片全彩化方案。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置,旨在解决现有的micro-led单片全彩化存在良率低,以及难以量产的问题。

2、为实现上述目的,本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S10包括:

3.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S30中,采用倒装工艺将所述衬底的电极层与所述驱动背板键合。

4.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S30中,采用晶圆到晶圆键合工艺将所述衬底与所述驱动背板相键合。

5.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S10中,在各所述像素单元中,所述三个微发光二极...

【技术特征摘要】

1.一种微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤s10包括:

3.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤s30中,采用倒装工艺将所述衬底的电极层与所述驱动背板键合。

4.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤s30中,采用晶圆到晶圆键合工艺将所述衬底与所述驱动背板相键合。

5.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤s10中,在各所述像素单元中,所述三个微发光二极管结构的所述发光堆叠结构均为蓝光堆叠结构,所述三个微发光二极管结构包括第一类二极管结构、第二类二极管结构和第三类二极管结构;

6.如权利要求1或5所述的微发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤s50之后,还包括:

7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘如胜李彦明陈振彰林昌廷汤颖颖
申请(专利权)人:青岛歌尔视显科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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