【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电力电子,尤其涉及一种电路的控制方法、装置、电子设备以及存储介质。
技术介绍
1、h桥臂电路中,当驱动发生异常,会导致桥臂直通,电流过大,进而引发功率管烧毁或绝缘层损坏,造成上下桥臂短路。发生上下桥臂直通时,由于实际芯片端驱动电压下桥远低于上桥,不论上桥短路还是下桥短路,始终只有下桥会深度退饱和,短路能量全部集中在下桥臂,下桥臂承担全部短路能量,短路应力大,炸管风险高。
2、因而,如何更好的实现电路的短路控制,保证电路的工作安全,是目前急需解决的问题。
技术实现思路
1、本公开提出了一种电路的控制方法、装置、电子设备以及存储介质,旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
2、本公开第一方面实施例提出了一种电路的控制方法,包括:
3、确定h桥臂电路中第一功率器件的第一退饱和检测参数,以及第二功率器件的第二退饱和检测参数,其中,所述第一退饱和检测参数和所述第二退饱和检测参数不同;
4、分别基于所述第一退饱和检测参数和所述第二退
...【技术保护点】
1.一种电路的控制方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退饱和检测参数为多个,所述确定H桥臂电路中第一功率器件的第一退饱和检测参数,以及第二功率器件的第二退饱和检测参数,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一功率器件位于所述H桥臂中的上桥,所述第二功率器件位于所述H桥臂中的下桥,
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一功率器件位于所述H桥臂中的上桥,所述第二功率器件位于所述H桥臂中的下桥,
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:
6
...【技术特征摘要】
1.一种电路的控制方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述退饱和检测参数为多个,所述确定h桥臂电路中第一功率器件的第一退饱和检测参数,以及第二功率器件的第二退饱和检测参数,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一功率器件位于所述h桥臂中的上桥,所述第二功率器件位于所述h桥臂中的下桥,
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一功率器件位于所述h桥臂中的上桥,所述第二功率器件位于所述h桥臂中的下桥,
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:兰祥,毛森,刘卫星,靳永明,
申请(专利权)人:小米汽车科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。